Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP7NK80Z
Код товару: 44313
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 5,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1138/40
у наявності: 52 шт
  • 21 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTMSTP7NK80Z MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.63 грн
10+154.89 грн
100+146.73 грн
500+128.27 грн
1000+107.31 грн
2500+101.98 грн
5000+99.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTN-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+154.40 грн
100+146.26 грн
500+132.60 грн
1000+115.52 грн
2500+105.89 грн
5000+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP7NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1138 @ 25, Qg, нКл = 56, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4,5 В, Р, Вт = 30, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+212.48 грн
10+147.42 грн
20+121.89 грн
50+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.94 грн
50+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFP
Код товару: 88919
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 5,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1138/40
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.00 грн
10+38.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK80ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP7NK80ZFP TSTP7NK80ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NK90ZFP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM50N
Код товару: 195523
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 550 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,78 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/12
Монтаж: THT
у наявності: 31 шт
  • 10 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM60N
на замовлення 14097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7NM80STTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A STP7NM80 TSTP7NM80
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+146.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
StP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8020onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP802U2SRPIXYSDescription: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Structure: Independent - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP802U2SRPIXYSSCRs 1.5Amp Sensitive Dual SCR in SOP-8
на замовлення 7326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP802U2SRPLITTELFUSECategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 600mA; 1.5A; Igt: 100uA; SOIC8; SMD
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 0.8kV
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 100µA
Max. load current: 0.6A
Load current: 1.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP802U2SRPIXYSDescription: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Structure: Independent - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.56 грн
10+167.59 грн
100+117.34 грн
500+89.98 грн
1000+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8038MotorolaDescription: STP8038
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8040LFBL
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8053ON SemiconductorSTP8053
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+95.89 грн
500+86.30 грн
1000+79.59 грн
10000+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8053
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8053onsemiDescription: IGBT T0220 SPCL 350V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8057ONSEMIDescription: ONSEMI - STP8057 - IGBT T0220 SPCL 400V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8057
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8057onsemiDescription: IGBT T0220 SPCL 400V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+88.69 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8057ON SemiconductorSTP8057
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.08 грн
500+148.69 грн
1000+136.98 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N03
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N03L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N03L-04
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N03L-06
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N05-09
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N06
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N06-10ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 80A STripFET VII
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsDescription: Linear IC's
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 400 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.15 грн
10+79.53 грн
25+72.19 грн
100+60.22 грн
250+56.62 грн
500+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 8A; 62W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 62W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N20M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 35A; 140W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.9nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.50 грн
50+312.66 грн
100+268.00 грн
500+223.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 28A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+156.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N340K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.82 грн
250+163.28 грн
500+152.72 грн
750+139.64 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 18A; 100W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.74 грн
50+167.69 грн
100+152.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55L-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55L-08ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.515ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4
Код товару: 140338
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 68 V, 8.2 mOhm typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]