Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205PBF
Код товару: 40541
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: STS4DPF30L; IRF7205; IRF7205TR; IRF7205-GURT; IRF7205TR TIRF7205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.81 грн
14+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.50 грн
10+51.88 грн
50+34.48 грн
100+29.20 грн
250+24.18 грн
500+21.51 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.25 грн
8000+23.35 грн
12000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF
Код товару: 205318
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 61509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.30 грн
10+44.51 грн
100+29.05 грн
500+21.02 грн
1000+19.01 грн
2000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.59 грн
8000+15.66 грн
12000+15.01 грн
20000+13.40 грн
28000+12.99 грн
40000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRIR
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.3A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.3A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF
Код товару: 164162
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 13 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+18.00 грн
10+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.26 грн
112+126.06 грн
125+113.33 грн
500+87.75 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.09 грн
172+82.25 грн
190+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.26 грн
50+126.06 грн
100+113.33 грн
500+87.75 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.83 грн
10+58.91 грн
50+52.63 грн
100+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.15 грн
162+87.27 грн
181+78.19 грн
500+47.37 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayMOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF
Код товару: 22638
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,8 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290090
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.70 грн
162+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.09 грн
50+82.25 грн
100+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.51 грн
50+87.63 грн
100+78.51 грн
500+47.57 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720S
Код товару: 40820
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.08 грн
50+93.32 грн
100+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBF
на замовлення 59800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRLPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRPBF
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF721Samsung
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210
Код товару: 86648
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 7mOhms 212nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 212nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF721RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220International RectifierP-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220International RectifierСиловой MOSFET P-кан., -14V, 0.012Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -14, Id = 11, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 8075 @ -10, Qg, нКл = 84, Rds = 8,2 мОм, Tексп, °C = -55...+170, Ugs(th) = -0,6 В,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 12mOhms 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBF
Код товару: 112483
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 14 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFInternational RectifierMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7223IR02+ 8PIN-SOP
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF723Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 79897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233International RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233IOR09+ SO-8
на замовлення 121473 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233<94-3291>
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]