Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7207IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRIR
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.3A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.3A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.26 грн
50+126.06 грн
100+113.33 грн
500+87.75 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF
Код товару: 164162
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 13 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+18.00 грн
10+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.15 грн
162+87.27 грн
181+78.19 грн
500+47.37 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayMOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.88 грн
10+117.48 грн
50+89.44 грн
100+75.46 грн
500+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.70 грн
162+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF
Код товару: 22638
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,8 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290090
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.01 грн
10+59.59 грн
50+53.25 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.09 грн
50+82.25 грн
100+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.51 грн
50+87.63 грн
100+78.51 грн
500+47.57 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.26 грн
112+126.06 грн
125+113.33 грн
500+87.75 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.09 грн
172+82.25 грн
190+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720S
Код товару: 40820
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.37 грн
50+94.41 грн
100+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBF
на замовлення 59800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRLPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRPBF
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF721Samsung
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210
Код товару: 86648
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 7mOhms 212nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 212nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF721RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220International RectifierP-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220International RectifierСиловой MOSFET P-кан., -14V, 0.012Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -14, Id = 11, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 8075 @ -10, Qg, нКл = 84, Rds = 8,2 мОм, Tексп, °C = -55...+170, Ugs(th) = -0,6 В,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 12mOhms 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFInternational RectifierMOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBFIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7220TRPBF
Код товару: 112483
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 14 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7223IR02+ 8PIN-SOP
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF723Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 79897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233International RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233IOR09+ SO-8
на замовлення 121473 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233<94-3291>
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240International Rectifier(MFET, P-CH, 40V, 10,5A, SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = -10,5, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -2 В,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -40V HEXFET 15mOhms 73nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240PBF
Код товару: 22230
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7240PBF - P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBFInternational RectifierIRF7240TRPBF IRF7240PBF (MFET, P-CH, 40V, 10,5A, SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.60 грн
169+83.58 грн
186+76.27 грн
500+60.27 грн
1000+51.35 грн
2000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]