Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.61 грн
10+53.41 грн
50+39.62 грн
100+32.98 грн
500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304International RectifierP-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+78.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304International RectifierP-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 (IRF7304PBF)
Код товару: 34673
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,09 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 610/22
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 45 шт
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFIRF7304PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+28.88 грн
190+24.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304QTRPBFIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRUMWSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRIOR
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, , Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7305IOR
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306
Код товару: 3760
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 440/25
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+38.33 грн
190+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.60 грн
10+86.90 грн
25+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBF/IRIR08+;
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QTRPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRJSMSEMITransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRInternational Rectifier HiRel ProductsIRF7306TR
на замовлення 15218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
721+48.95 грн
1000+45.14 грн
10000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,P-CH,LL,2W,-30V,4A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.73 грн
234+60.48 грн
259+54.52 грн
500+42.05 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
839+42.05 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.52 грн
10+58.74 грн
50+43.72 грн
100+36.46 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.73 грн
13+60.48 грн
100+54.52 грн
500+42.05 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.37 грн
10+66.79 грн
50+46.22 грн
100+39.62 грн
500+29.46 грн
1000+26.83 грн
2000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307
Код товару: 21981
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBF
Код товару: 28597
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 5,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9, td(off)+tf = 32, Id2 = 4,
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+23.59 грн
190+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307QPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307QTRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRUMW(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRТранзистор польовий 2N, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660, 610, Qg, нКл = 20, 22, Rds = 53, 100 мОм, Ugs(th) = 700 мВ, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRIOR
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 4.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный и P-канальный ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В, Qg, нКл = 20 @ 4.5 В, Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+149.95 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBF
Код товару: 40384
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 4,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 36 шт
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309
Код товару: 19215
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309InfineonN/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309International Rectifier(SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309HRInternational RectifierTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF
Код товару: 36562
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 4,7(3,5) А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05(0,1) Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineonTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309QTRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.73 грн
11+69.67 грн
50+51.53 грн
100+44.03 грн
500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.45 грн
12+62.81 грн
50+48.57 грн
100+42.13 грн
500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.80 грн
12000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 4/-3A
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.43 грн
10+57.82 грн
100+35.05 грн
200+30.64 грн
500+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.22 грн
12000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.73 грн
12000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.34 грн
295+48.00 грн
328+43.11 грн
340+40.11 грн
500+30.52 грн
1000+28.69 грн
3000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.79 грн
22+34.73 грн
50+31.05 грн
100+28.44 грн
500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.70 грн
227+62.30 грн
293+48.19 грн
326+41.79 грн
500+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]