Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP8NC80Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC85Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.67 грн
50+221.82 грн
100+202.71 грн
500+158.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.97 грн
32+448.02 грн
50+284.40 грн
100+253.46 грн
500+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMSTP8NK100Z MOSFET N-CH 1KV 6.5A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z
Код товару: 148918
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.64 грн
10+287.63 грн
100+267.92 грн
500+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTN-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+111.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.81 грн
50+98.82 грн
100+97.96 грн
500+91.79 грн
1000+83.62 грн
2000+79.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.11 грн
50+141.75 грн
100+128.71 грн
500+99.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,5Ohm; 6,2A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP8NK80Z TSTP8NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Technology: SuperMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.47 грн
10+62.59 грн
50+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+98.71 грн
144+97.72 грн
146+96.87 грн
500+90.77 грн
1000+82.69 грн
2000+78.59 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.75 грн
10+213.29 грн
100+195.82 грн
500+156.20 грн
1000+134.29 грн
2000+121.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFP
Код товару: 115145
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 6,2 А
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
  • 4 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 25.07.2026
1+48.50 грн
10+42.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.59 грн
5+173.78 грн
10+159.77 грн
25+144.13 грн
50+133.42 грн
100+123.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP8NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+392.43 грн
67+212.58 грн
100+195.17 грн
500+155.68 грн
1000+133.83 грн
2000+120.66 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2 A
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMMOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK85ZSTMicroelectronicsMOSFET SuperMESH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK85Z
на замовлення 10348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK85ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50STMN-кан. MOSFET 550V, 8A, 0.8 Ом, 120Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
на замовлення 162 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMicroelectronicsN-канальный ПТ (Vds=550V, Id=5A@T=25C, Id=3.1A@T=100C, Rds=0.8Ohm, P=30W, -65 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTTrans MOSFET N-CH 500V 5A STP8NM50N TSTP8NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.45 грн
50+106.94 грн
100+96.48 грн
500+73.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.40 грн
10+134.91 грн
100+131.62 грн
500+114.22 грн
1000+99.90 грн
2000+91.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60D
на замовлення 38874 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FPSTM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FP(E)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NS25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NS25STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NS25
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NS25FP
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NS25FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N4F3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N4F3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N55F4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55V 0.0064 Ohm 90A STrip DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N55F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N6F6STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 38.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP90N6F6STMMOSFET N-CH 60V 84A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.49 грн
50+72.58 грн
100+65.06 грн
500+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+100.66 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03LSTMN-CHANNEL 30V - 0.0056W - 90A TO-220/I2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03L
Код товару: 122305
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 90 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP90NS04ZC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9435
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9435A
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N04
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET 30V N-Chnl 80A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 40V 5.4mOhm 80A
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0054 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 80A; 110W; -55°C ~ 175°C; STP95N4F3 TSTP95N4F3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.01 грн
10+78.03 грн
100+71.28 грн
500+65.00 грн
1000+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 19998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.19 грн
197+71.42 грн
500+67.54 грн
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP990NF03L
на замовлення 38877 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N30
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]