Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP85NF55LST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP85NF55LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP85NF55LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP85NF55LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP85NF55LSTMPower MOSFETs - Low Voltage N Channel Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP85NF55L-ESTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP860
на замовлення 6588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8A60
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8H100ST2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8H100CFP
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N10
на замовлення 8062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5
Код товару: 213846
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.47 грн
10+363.05 грн
25+295.22 грн
100+274.61 грн
250+252.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.78 грн
250+282.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.51 грн
50+249.10 грн
100+233.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.93 грн
10+593.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+440.32 грн
5+359.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N60
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5STTrans MOSFET N-CH 800V 6A STP8N80K5 TSTP8N80K5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.03 грн
10+179.65 грн
50+139.07 грн
100+118.24 грн
500+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.05 грн
28+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NA50
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NA50FI
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC50
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC50FPST09+
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC60
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC60FP
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC70Z
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC70ZFP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC80Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NC85Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.93 грн
10+288.92 грн
100+269.13 грн
500+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+303.90 грн
10+253.95 грн
25+224.33 грн
50+201.47 грн
100+176.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTN-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100Z
Код товару: 148918
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMSTP8NK100Z MOSFET N-CH 1KV 6.5A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+462.04 грн
32+450.03 грн
50+285.67 грн
100+254.60 грн
500+80.90 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.80 грн
50+227.99 грн
100+208.35 грн
500+163.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,5Ohm; 6,2A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP8NK80Z TSTP8NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.10 грн
50+145.70 грн
100+132.30 грн
500+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.15 грн
144+98.16 грн
146+97.31 грн
500+91.17 грн
1000+83.06 грн
2000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.30 грн
10+64.33 грн
50+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.26 грн
50+99.26 грн
100+98.40 грн
500+92.20 грн
1000+83.99 грн
2000+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFP
Код товару: 115145
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 6,2 А
Монтаж: THT
у наявності: 104 шт
  • 101 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+48.50 грн
10+42.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+394.19 грн
67+213.53 грн
100+196.04 грн
500+156.37 грн
1000+134.43 грн
2000+121.20 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+293.54 грн
5+178.61 грн
10+164.22 грн
25+148.14 грн
50+137.13 грн
100+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMMOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.51 грн
10+214.25 грн
100+196.70 грн
500+156.90 грн
1000+134.89 грн
2000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP8NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2 A
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK85Z
на замовлення 10348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK85ZSTMicroelectronicsMOSFET SuperMESH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NK85ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50STMN-кан. MOSFET 550V, 8A, 0.8 Ом, 120Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
на замовлення 162 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMicroelectronicsN-канальный ПТ (Vds=550V, Id=5A@T=25C, Id=3.1A@T=100C, Rds=0.8Ohm, P=30W, -65 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.69 грн
50+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTTrans MOSFET N-CH 500V 5A STP8NM50N TSTP8NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
10+142.93 грн
50+109.65 грн
100+92.84 грн
500+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.49 грн
10+135.51 грн
100+132.21 грн
500+114.73 грн
1000+100.35 грн
2000+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60D
на замовлення 38874 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FPSTM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60FP(E)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP8NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]