Продукція > SI4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4835DY-T1VISHAY0433+
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DYBDY-T1-E3
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DYT1E3VISHAY
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835P
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835SY-T1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 2.3MHz ~ 28.5MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM, SW
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 20mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.62 грн
10+218.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Mechanically-Tuned AM/FM Radio Receiver
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSSilicon LabsSOIC 16/-15 TO 85°/ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICAL TUNED RADIOS,WIDE FM SI4836SO
кількість в упаковці: 56 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 2.3MHz ~ 28.5MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM, SW
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 20mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+351.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Mechanically-Tuned AM/FM Radio Receiver
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A20-GSSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A20-GSRSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-B30-GSSilicon LabsSOIC 24/-15 TO 85°/CONSUMER ELECTRONICS. ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICA SI4836SO
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-DEMOSkyworks Solutions, Inc.RF Development Tools INST/APPAR FOR MEAS/CHECK WAFERS/DEVICES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVAL SI4836
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4836
Type: Tuner
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DYVishay / SiliconixMOSFETs 12V 13A 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY-T1
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4836DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4836DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY0-T1-E3
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4837DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4837DY-T1VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4837DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4838BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 34 A, 2700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 15510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.44 грн
10+93.47 грн
100+66.37 грн
500+49.69 грн
1000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.62 грн
5000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.25 грн
10+189.97 грн
100+133.75 грн
500+102.99 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 25A 3.5W 3.0mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI483ZDY-T1
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840
Код товару: 46541
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840SIEMENS01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM with mechanical tuning/digital display
на замовлення 50 шт:
термін постачання 603-612 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GURSilicon LabsDescription: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM RX for mechanical tuned digital display radios, 24p SSOP, lead free
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-DEMOSilicon LabsDescription: SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDYSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; SI4840BDY TSI4840bdy
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 15332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.96 грн
10+97.91 грн
100+66.46 грн
500+49.74 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.86 грн
10+93.29 грн
25+92.52 грн
100+74.70 грн
250+68.48 грн
500+56.09 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.29 грн
154+92.52 грн
183+77.47 грн
250+73.96 грн
500+58.43 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 8658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.70 грн
5000+41.11 грн
7500+39.64 грн
12500+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3
Код товару: 82270
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.65 грн
5+115.03 грн
10+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 8658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 12291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 10720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.96 грн
10+97.91 грн
100+66.46 грн
500+49.74 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.70 грн
5000+41.11 грн
7500+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDYT1E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY
Код товару: 193420
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4840DYVishay / SiliconixMOSFET 40V 14A 3.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4840DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1SI02+
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842SISOP-8
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842B
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDYVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY
Код товару: 49529
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.00 грн
10+140.94 грн
50+108.27 грн
100+91.73 грн
500+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 6.25W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.