Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4836-A10-GSSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 2.3MHz ~ 28.5MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM, SW
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 20mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.30 грн
10+252.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+222.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 2.3MHz ~ 28.5MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM, SW
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 20mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A10-GSRSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+222.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A20-GSSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-A20-GSRSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-B30-GSSilicon LabsSOIC 24/-15 TO 85°/CONSUMER ELECTRONICS. ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICA SI4836SO
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVAL SI4836
Supplied Contents: Board(s)
Type: Tuner
For Use With/Related Products: Si4836
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836-DEMOSkyworks Solutions, Inc.RF Development Tools INST/APPAR FOR MEAS/CHECK WAFERS/DEVICES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DYVishay / SiliconixMOSFETs 12V 13A 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY-T1
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4836DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4836DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4836DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DY0-T1-E3
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4836DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4837DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4837DY-T1VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4837DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4838BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 34 A, 2700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 15510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.79 грн
10+93.69 грн
100+66.53 грн
500+49.81 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.73 грн
5000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.96 грн
10+190.42 грн
100+134.07 грн
500+103.23 грн
1000+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 25A 3.5W 3.0mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI483ZDY-T1
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840
Код товару: 46541
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840SIEMENS01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM with mechanical tuning/digital display
на замовлення 50 шт:
термін постачання 603-612 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GURSilicon LabsDescription: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-A10-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM RX for mechanical tuned digital display radios, 24p SSOP, lead free
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840-DEMOSilicon LabsDescription: SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDYSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; SI4840BDY TSI4840bdy
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+96.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 33962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.55 грн
10+90.13 грн
100+67.54 грн
500+50.69 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.83 грн
10+92.46 грн
25+91.70 грн
100+74.04 грн
250+67.87 грн
500+55.59 грн
1000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+92.46 грн
154+91.70 грн
183+76.78 грн
250+73.30 грн
500+57.91 грн
1000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3
Код товару: 82270
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.15 грн
10+85.09 грн
100+62.44 грн
500+46.74 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.94 грн
5000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDYT1E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY
Код товару: 193420
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4840DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4840DYVishay / SiliconixMOSFET 40V 14A 3.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1SI02+
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840DYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842SISOP-8
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842B
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDYVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY
Код товару: 49529
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.00 грн
10+146.98 грн
100+101.98 грн
500+77.64 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 23A 3.5W
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.97 грн
10+142.76 грн
100+102.50 грн
500+83.15 грн
1000+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]