Продукція > SI8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 77 88 99 110 112  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI8463AB-A-IS1Silicon Laboratories2.5 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-A-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-A-IS1RSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-A-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-B-IS1Silicon Laboratories2.5 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-B-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2500VRMS 6CH GP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-B-IS1Silicon LabsSOIC 16/A°/6-ch Ch 2.5kV Isolator, 1M, 6/3 SI8463
кількість в упаковці: 48 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-B-IS1Skyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-B-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463AB-B-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463ABAIS1Silicon LabsSI8463ABAIS1 SI8463
кількість в упаковці: 48 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-A-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-A-IS1Silicon Laboratories1 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-A-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-A-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-B-IS1Silicon Laboratories1 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.95 грн
10+358.37 грн
25+350.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-B-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-B-IS1Skyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-B-IS1Silicon Laboratories1 kV 3 Forward & 3 Reverse 6-Channel Isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-B-IS1RSilicon LabsNBSOIC 16/-40 TO 125 OC/6-CH CH 1.0KV ISOLATOR, 150M, 6/3, NB SOIC16, LEAD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-B-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-B-IS1RSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 1 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BA-BI-S1Silicon LabsSI8463BA-BI-S1 SI8463
кількість в упаковці: 48 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BAAIS1Silicon LabsSI8463BAAIS1 SI8463
кількість в упаковці: 48 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-A-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-A-IS1SiLabs-40...125 C ,SOIC-16 Гальванічна розв'язка (крім оптичної)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-A-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-A-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1Skyworks SolutionsDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+606.00 грн
48+520.29 грн
96+456.74 грн
288+420.79 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1Silicon LabsSOIC 16/A°/2.5kV ISOpro Digital Isolators SI8463
кількість в упаковці: 48 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1Skyworks SolutionsDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1Silicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1Skyworks SolutionsDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.53 грн
48+520.29 грн
96+456.74 грн
288+420.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1Silicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1SiLabs-40...125 C ,SOIC-16 Гальванічна розв'язка (крім оптичної)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1RSilicon LabsDigital Isolators 2.5 kV 3 forward & 3 reverse 6-channel isolator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1RSilicon LaboratoriesDigital Isolator CMOS 6-CH 150Mbps Automotive 16-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1RSilicon LabsDescription: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BB-B-IS1RSilicon LabsSOIC 16/A°/6-CH CH 2.5KV ISOLATOR, 150M, 6/3, LEAD FREE SI8463BB
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8463BBAIS1Silicon LabsSI8463BBAIS1 SI8463
кількість в упаковці: 48 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8465DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8465DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1
Код товару: 209156
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.68 грн
43+17.87 грн
44+17.49 грн
100+15.69 грн
250+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 1.8W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8469DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8469DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
6000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.99 грн
22+37.85 грн
100+24.51 грн
500+20.22 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.79 грн
62+12.30 грн
63+12.12 грн
64+11.50 грн
100+10.48 грн
250+9.89 грн
500+9.73 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
13+23.58 грн
100+17.13 грн
500+14.32 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1267+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 1267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.50 грн
500+12.31 грн
1000+11.16 грн
5000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7.1A 2.7W 41mohm @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si8481DB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.10 грн
500+15.00 грн
1000+12.54 грн
5000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.09 грн
6000+12.19 грн
9000+11.78 грн
15000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.15 грн
33+24.99 грн
100+22.10 грн
500+15.00 грн
1000+12.54 грн
5000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 45924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+31.64 грн
100+22.65 грн
500+16.90 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1
Код товару: 178232
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DBVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+42.24 грн
100+27.48 грн
500+19.83 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.73 грн
265+53.46 грн
500+37.24 грн
1000+33.55 грн
3000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
10+30.00 грн
100+20.68 грн
500+14.77 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 9402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 77 88 99 110 112  [ Наступна Сторінка >> ]