Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4844-A10-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 112345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned digital display radios, 24p SSOP, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVAL SI4844-B
Utilized IC / Part: Si4844
Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
Type: Tuner
For Use With/Related Products: Si4844-B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B-DEMOSilicon LabsRF Development Tools Consumer Electronics AM/FM/SW EVB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSilicon LabsSSOP 24/-15 TO 85°/ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICAL TUNED DIGITAL DISPLA SI4844SSOP
кількість в упаковці: 56 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM/SW-wide band with mechanical tuning/digital display
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.34 грн
10+266.94 грн
56+240.54 грн
112+216.74 грн
280+205.65 грн
504+198.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-DEMOSilicon LabsCONSUMER ELECTRONICS AM/FM/SW EVB, 24P SSOP, USE FOR SI4840-A10 OR SI4844-A DEMO
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: SI4844 EVAL AND DEMO BOARD
Utilized IC / Part: Si4844
Contents: Board(s)
Type: Tuner
For Use With/Related Products: Si4844
Packaging: Box
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845SISOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DYVISHAY09+
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848SIEMENS01+ SOP
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 13184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+45.89 грн
100+30.00 грн
500+21.74 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.99 грн
14+57.17 грн
25+56.23 грн
50+53.52 грн
100+33.29 грн
250+30.41 грн
500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.29 грн
5000+17.10 грн
7500+16.35 грн
12500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.23 грн
255+55.50 грн
380+37.28 грн
399+34.21 грн
702+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+41.08 грн
100+31.18 грн
500+22.87 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.29 грн
5000+17.46 грн
7500+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYVishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.51 грн
5000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.56 грн
154+92.06 грн
164+86.49 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3
Код товару: 115193
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.15 грн
10+81.93 грн
100+66.37 грн
500+49.65 грн
1000+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.06 грн
5000+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.82 грн
10+76.44 грн
25+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.61 грн
5000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.38 грн
5000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-E3 SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.61 грн
5000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.28 грн
10+92.01 грн
100+68.75 грн
500+52.73 грн
1000+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI485ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; SOT32; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Application: SOT32
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 7.9x11.1mm
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: screw
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850PHI09+ SOP8
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+67.96 грн
50+50.76 грн
100+42.43 грн
500+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.96 грн
19+40.62 грн
25+40.21 грн
50+37.30 грн
100+33.75 грн
250+32.06 грн
500+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.62 грн
352+40.21 грн
366+38.68 грн
375+36.45 грн
379+33.40 грн
500+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3
Код товару: 223065
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DYVISHAY09+
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DY-T1-E3SILICONIXSOP8 05+
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EYVishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3
Код товару: 152187
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+456.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 571-580 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]