Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4842BDYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842DYVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842DY-T1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4842DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4842DYT1E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/digital display
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSilicon LabsSSOP 24/?15 TO 85°/CONSUMER ELECTRONICS. ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICA SI4844SSOP
кількість в упаковці: 56 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tray
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 24-SSOP
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Current - Receiving: 21.5mA
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Modulation or Protocol: AM, FM
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GUSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned digital display radios, 24p SSOP, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 112345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-A10-GURSkyworks SolutionsRF Receiver AM/FM/SW 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 112345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVAL SI4844-B
Utilized IC / Part: Si4844
Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
Type: Tuner
For Use With/Related Products: Si4844-B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B-DEMOSilicon LabsRF Development Tools Consumer Electronics AM/FM/SW EVB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSilicon LabsSSOP 24/-15 TO 85°/ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICAL TUNED DIGITAL DISPLA SI4844SSOP
кількість в упаковці: 56 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver FM/AM/SW-wide band with mechanical tuning/digital display
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GUSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.97 грн
10+259.13 грн
56+233.50 грн
112+210.40 грн
280+199.63 грн
504+193.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions Inc.Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 64MHz ~ 109MHz
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -15°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 21.5mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 24-SSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-B20-GURSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-DEMOSilicon LabsCONSUMER ELECTRONICS AM/FM/SW EVB, 24P SSOP, USE FOR SI4840-A10 OR SI4844-A DEMO
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4844-DEMOSkyworks Solutions Inc.Description: SI4844 EVAL AND DEMO BOARD
Utilized IC / Part: Si4844
Contents: Board(s)
Type: Tuner
For Use With/Related Products: Si4844
Packaging: Box
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845SISOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DYVISHAY09+
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4845DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848SIEMENS01+ SOP
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 13184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.89 грн
10+44.55 грн
100+29.12 грн
500+21.10 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.44 грн
14+56.79 грн
25+55.85 грн
50+53.16 грн
100+33.07 грн
250+30.21 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.73 грн
5000+16.60 грн
7500+15.88 грн
12500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+55.85 грн
255+55.13 грн
380+37.03 грн
399+33.99 грн
702+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+39.88 грн
100+30.26 грн
500+22.20 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.70 грн
5000+16.95 грн
7500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYVishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.18 грн
5000+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+100.88 грн
154+91.44 грн
164+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3
Код товару: 115193
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+132.17 грн
5000+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.69 грн
10+79.53 грн
100+64.43 грн
500+48.19 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.21 грн
10+75.93 грн
25+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.27 грн
5000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.02 грн
5000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.27 грн
5000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-E3 SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.62 грн
10+89.32 грн
100+66.74 грн
500+51.19 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI485ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; SOT32; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Application: SOT32
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 7.9x11.1mm
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: screw
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850PHI09+ SOP8
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.20 грн
10+47.88 грн
100+37.65 грн
500+29.59 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.02 грн
16+48.96 грн
25+48.92 грн
100+41.36 грн
250+38.25 грн
500+32.67 грн
1000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+48.96 грн
288+48.92 грн
328+41.31 грн
500+34.04 грн
1000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.71 грн
5000+23.33 грн
7500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DYVISHAY09+
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DY-T1-E3SILICONIXSOP8 05+
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EYVishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3
Код товару: 152187
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]