Продукція > BD2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BD234GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD234STUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 2A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD235MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD235 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.45 грн
29+28.03 грн
100+24.73 грн
500+16.23 грн
1000+13.46 грн
5000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD235STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT-32-3
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD235STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD235-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 2A TO-126
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD235STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD236PHI09+
на замовлення 17818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD236onsemi PNP/2A/60V TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD236MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD236 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.89 грн
19+44.38 грн
100+31.57 грн
500+22.81 грн
1000+18.57 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD236 (транзистор)
Код товару: 48430
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD236STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 1398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD236STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD236STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD236STU - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-225AA-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD236STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 1398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD236STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD236STUONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD236STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-126-3
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 11517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1332+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 1332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237On SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237
Код товару: 214270
Додати до обраних Обраний товар
HT SEMIТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 589 шт
  • 517 шт - склад
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+7.00 грн
10+6.20 грн
100+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
50+26.22 грн
100+23.14 грн
500+16.62 грн
1000+14.98 грн
2000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STNPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 165580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.62 грн
28+27.57 грн
100+23.86 грн
500+17.42 грн
1000+13.99 грн
2000+12.40 грн
4000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
12+28.02 грн
100+21.47 грн
500+16.43 грн
1000+14.84 грн
2000+13.39 грн
4000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.11 грн
14+31.58 грн
16+27.34 грн
50+19.53 грн
100+17.20 грн
500+14.46 грн
1000+13.46 грн
2000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.55 грн
28+28.99 грн
100+25.53 грн
500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237HT SEMITransistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 165580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
515+27.55 грн
595+23.84 грн
786+18.05 грн
1000+15.09 грн
2000+12.91 грн
4000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMNPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
18+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237
Код товару: 174215
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.90 грн
100+9.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STNPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.38 грн
4000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237onsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237LGETransistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237 (LGE)
Код товару: 126623
Додати до обраних Обраний товар
LGEТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 347 шт
  • 205 шт - склад
  • 59 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
4+6.50 грн
10+5.80 грн
100+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237 (SOT-32, ST)
Код товару: 155417
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD237 (КТ817Г)
Код товару: 28046
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+6.00 грн
100+5.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD237-16CYDNPN 2A 80V 25W BD237-16 TO126 CYD TBD23716 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237-16
Код товару: 123126
Додати до обраних Обраний товар
CYDТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+5.00 грн
100+4.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD237-16LGETranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD237.16; BD237-16 CDIL TBD23716
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237-16LGETranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD237.16; BD237-16 CDIL TBD23716
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237BPHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD237GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237GOn SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) , Pbf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.65 грн
100+34.78 грн
500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+56.13 грн
100+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.64 грн
10+48.53 грн
25+41.22 грн
100+32.49 грн
250+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237GONSEMIDescription: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.01 грн
15+56.38 грн
100+37.61 грн
500+27.82 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G
Код товару: 190177
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.21 грн
33+23.30 грн
36+21.14 грн
50+19.14 грн
100+16.82 грн
500+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238JSCJPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238
Код товару: 172863
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, MHz: 3 MHz
Напруга Uке, V: 100 V
Напруга Uкб, V: 100 V
Струм Iк, A: 2 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 40
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD238LGEPNP 2A 80V 25W 3MHz BD238 TBD238
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STMPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238
Код товару: 174169
Додати до обраних Обраний товар
NXPТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, MHz: 3 MHz
Напруга Uке, V: 100 V
Напруга Uкб, V: 100 V
Струм Iк, A: 2 A
у наявності: 41 шт
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 05.07.2026
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD238 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.73 грн
39+21.18 грн
100+19.01 грн
500+14.13 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238onsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238On SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238LGEPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238 (КТ816Г)
Код товару: 51316
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, MHz: 3 MHz
Напруга Uке, V: 100 V
Струм Iк, A: 2 A
Примітка: 25 Вт
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD238GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238SonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238S
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STU_NLSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238STU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD238`
на замовлення 5773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239Harris CorporationDescription: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239BournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239PHI09+
на замовлення 17818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 45V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD2390InterlightDescription: Replacement for Black & Decker B
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ABournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239Aonsemionsemi NPN/2A/60V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239A-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 60V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ATUONSEMIDescription: ONSEMI - BD239ATU - BD239ATU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ATUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1444+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ATUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ATUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ATUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1444+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239BBournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239BonsemiBipolar Transistors - BJT NPN/2A/80V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239B
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239B-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 80V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239BTUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239BTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239BTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239BTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD239BTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]