Продукція > EPC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EPC2035EPCDescription: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.79 грн
7500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035EPCGaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035EPCDescription: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 21119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.65 грн
50+65.33 грн
100+54.87 грн
500+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.79 грн
7500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036Транзистор GaNFET, Udss, В = 100, Rds, мОм = 65, Id, А = 1,7, C, пкФ = 90, Заряд, нКл = 0,91,... Транзистори Корпус: smd Очікується: 700 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 31702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.65 грн
50+65.33 грн
100+54.87 грн
500+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 11502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 1.7A 4-Pin Die T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.13 грн
5000+74.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037
Код товару: 179458
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 108885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.17 грн
7500+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 109208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+91.86 грн
50+69.27 грн
100+58.16 грн
500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 10923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038EPCDescription: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038EPCDescription: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 100559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+91.86 грн
50+69.27 грн
100+58.16 грн
500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039EPCDescription: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.62 грн
7500+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039EPC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039EPCDescription: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 60351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+105.14 грн
50+79.86 грн
100+67.28 грн
500+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040EPCGaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 12688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040EPCDescription: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.76 грн
7500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040EPCDescription: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 58353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+76.99 грн
50+57.79 грн
100+48.44 грн
500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGREPCDescription: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044EPCDescription: GANFET N-CH 100V 9.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
10+112.01 грн
50+85.17 грн
100+71.80 грн
500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044EPCDescription: GANFET N-CH 100V 9.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045EPCDescription: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+153.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045EPCDescription: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 95100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.61 грн
10+234.81 грн
50+183.52 грн
100+156.71 грн
500+137.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2047EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRTEPCDescription: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRTEPCDescription: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050EPCDescription: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.83 грн
10+313.54 грн
50+248.46 грн
100+213.54 грн
500+202.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050EPCGaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050EPCDescription: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+193.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 37111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.80 грн
50+65.30 грн
100+54.78 грн
500+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.52 грн
7500+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052EPCDescription: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 74305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+108.24 грн
50+82.14 грн
100+69.16 грн
500+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
на замовлення 12003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052EPCDescription: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.88 грн
7500+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053EPC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.80 грн
10+321.76 грн
100+242.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+205.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054EPCGaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 148615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+117.82 грн
50+89.61 грн
100+75.58 грн
500+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055EPCGaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055EPCDescription: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.53 грн
7500+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055EPCDescription: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+146.58 грн
50+112.70 грн
100+95.52 грн
500+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057EPCDescription: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
10+106.65 грн
50+80.87 грн
100+68.08 грн
500+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057EPCDescription: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.02 грн
7500+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057EPCGaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059EPCTransistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+417.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059EPCDescription: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 12128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.44 грн
10+201.60 грн
50+156.95 грн
100+133.80 грн
500+115.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059EPCGaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
на замовлення 14202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059EPCDescription: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065EPCDescription: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.39 грн
10+196.55 грн
50+152.86 грн
100+130.25 грн
500+111.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065EPCDescription: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.31 грн
3000+96.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065EPCGaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+210.02 грн
3000+201.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.35 грн
10+349.39 грн
50+278.15 грн
100+239.52 грн
500+231.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067EPCDescription: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+156.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067EPCGaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067EPCDescription: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.56 грн
10+269.38 грн
50+211.99 грн
100+181.61 грн
500+165.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.07 грн
10+388.56 грн
100+323.83 грн
500+268.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069EPCGaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+267.05 грн
2000+240.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070EPCDescription: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+76.99 грн
50+57.79 грн
100+48.44 грн
500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070EPCDescription: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 14253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.75 грн
10+355.43 грн
100+259.56 грн
500+235.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.50 грн
2000+205.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.39 грн
10+254.29 грн
50+199.31 грн
100+170.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2090EPCGaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2091EPCGaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2092EPCGaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.06 грн
10+513.86 грн
100+384.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.52 грн
10+524.80 грн
100+392.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+348.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.