Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+282.87 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.74 грн
10+322.28 грн
25+308.52 грн
50+294.59 грн
100+243.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+537.74 грн
44+322.28 грн
46+308.52 грн
50+294.59 грн
100+243.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+396.45 грн
10+286.05 грн
30+245.42 грн
60+228.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.72 грн
30+274.06 грн
120+229.24 грн
510+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5Infineon
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.01 грн
30+232.45 грн
120+231.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.04 грн
30+254.63 грн
120+211.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+277.01 грн
61+232.45 грн
120+231.29 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.61 грн
10+226.62 грн
100+188.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5Infineon TechnologiesIGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+454.29 грн
10+272.00 грн
30+269.29 грн
100+220.80 грн
120+202.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.04 грн
30+254.63 грн
120+211.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+289.06 грн
58+246.97 грн
120+203.17 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.32 грн
10+241.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.72 грн
30+247.53 грн
120+203.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.49 грн
30+217.43 грн
120+178.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+454.29 грн
52+272.00 грн
53+269.29 грн
100+220.80 грн
120+202.38 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1InfineonGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.49 грн
66+217.43 грн
120+178.87 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.52 грн
10+270.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.73 грн
10+256.47 грн
30+253.87 грн
100+206.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1InfineonIGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 273 W Through Hole PG-TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.41 грн
10+231.39 грн
25+228.75 грн
50+218.40 грн
100+184.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+398.73 грн
56+253.87 грн
100+206.85 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.59 грн
30+255.15 грн
120+211.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.41 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5
Код товару: 187321
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5Infineon
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Power - Max: 270 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 108 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.25 грн
10+284.89 грн
25+281.99 грн
50+269.23 грн
100+232.61 грн
480+164.42 грн
720+162.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+457.20 грн
50+284.24 грн
51+268.61 грн
100+232.08 грн
480+164.05 грн
720+162.39 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.86 грн
10+204.79 грн
20+182.41 грн
30+169.97 грн
120+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.65 грн
30+229.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.47 грн
10+231.44 грн
100+222.60 грн
500+155.21 грн
1000+140.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+420.15 грн
52+273.83 грн
53+271.13 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.15 грн
10+273.83 грн
30+271.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5InfineonIGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+249.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5AInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.58 грн
10+221.37 грн
30+215.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1Infineon80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+294.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.45 грн
10+229.83 грн
100+188.85 грн
500+156.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.28 грн
30+199.18 грн
120+159.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.39 грн
30+169.24 грн
120+139.61 грн
510+119.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.28 грн
72+199.18 грн
120+159.43 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5InfineonTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305mW TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+358.30 грн
104+340.62 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.94 грн
30+257.12 грн
120+215.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+377.74 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.62 грн
30+419.37 грн
120+379.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+510.62 грн
34+419.37 грн
120+379.92 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.11 грн
10+295.73 грн
100+254.74 грн
500+195.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+378.60 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.62 грн
10+549.30 грн
25+543.80 грн
50+519.17 грн
100+420.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+540.99 грн
100+513.88 грн
500+486.77 грн
1000+443.25 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.96 грн
5+559.31 грн
10+414.66 грн
50+354.45 грн
100+276.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 19680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+540.99 грн
100+513.88 грн
500+486.77 грн
1000+443.25 грн
10000+386.21 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.63 грн
30+448.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  Наступна Сторінка >> ]