Продукція > IKW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65EH5 | Infineon | на замовлення 12360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW50N65EH5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 81 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 275 W | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 275W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - Verlustleistung: 274W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon | GBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon | IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 273 W Through Hole PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 273 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 Код товару: 178408
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65F5 Код товару: 187321
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW50N65F5 | Infineon | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Power - Max: 270 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 108 nC Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 Код товару: 162192
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 | на замовлення 291 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 305 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 120 nC Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 | Infineon | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори | на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5A | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon | 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 Код товару: 125871
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 57 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305mW TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 305 W | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | на замовлення 552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 274W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | на замовлення 19680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

