Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.00 грн
10+300.07 грн
100+220.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.99 грн
10+524.44 грн
25+519.35 грн
100+408.24 грн
250+374.21 грн
500+303.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+257.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+528.97 грн
32+448.41 грн
50+341.42 грн
200+309.53 грн
500+251.17 грн
1000+234.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.39 грн
2000+130.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.16 грн
10+271.07 грн
100+233.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+243.14 грн
98000+223.24 грн
147000+208.81 грн
196000+190.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.92 грн
10+182.83 грн
100+146.76 грн
250+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+261.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+437.91 грн
53+271.55 грн
100+233.47 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+576.58 грн
100+550.44 грн
250+504.62 грн
500+479.51 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.99 грн
10+248.63 грн
100+177.89 грн
500+150.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GInfineonN-channel, 100V, 180A, 2.5mOhm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+562.03 грн
37+388.94 грн
100+289.66 грн
500+258.06 грн
1000+228.79 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.96 грн
10+294.52 грн
50+232.02 грн
100+198.89 грн
500+172.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.15 грн
10+404.68 грн
50+326.05 грн
100+294.31 грн
500+238.49 грн
1000+218.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.85 грн
10+303.48 грн
50+267.98 грн
100+248.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+417.26 грн
3+347.20 грн
10+285.98 грн
100+247.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+240.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.85 грн
48+299.33 грн
54+264.32 грн
100+244.74 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.81 грн
3000+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+231.65 грн
3000+222.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+243.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+591.16 грн
35+405.37 грн
50+326.61 грн
100+294.81 грн
500+238.90 грн
1000+218.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+240.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GE818XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.92 грн
75+189.05 грн
102+139.06 грн
500+112.33 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.43 грн
3000+107.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+159.11 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.52 грн
10+218.29 грн
25+216.10 грн
100+169.24 грн
250+155.14 грн
500+126.80 грн
1000+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+159.11 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.34 грн
10+192.47 грн
50+149.40 грн
100+127.20 грн
500+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+159.11 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.54 грн
100+147.33 грн
500+119.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.95 грн
3000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.52 грн
65+218.29 грн
66+216.10 грн
100+169.24 грн
250+155.14 грн
500+126.80 грн
1000+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.28 грн
10+290.38 грн
50+247.91 грн
100+190.26 грн
800+154.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+418.00 грн
49+290.88 грн
57+248.33 грн
100+190.58 грн
800+154.69 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1InfineonIPB026N10NF2SATMA1 IPB026N10NF2S N-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+202.72 грн
500+192.12 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+202.72 грн
500+192.12 грн
1000+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+164.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
10+223.72 грн
50+174.78 грн
100+149.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 GInfineon
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+517.93 грн
29+495.67 грн
50+476.79 грн
100+444.17 грн
250+398.79 грн
500+372.42 грн
1000+363.31 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+105.90 грн
50+80.34 грн
100+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GInfineonN-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3G(UMW)UMWIPB027N10N3G(UMW) IPB027N10N3G N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3G-VBVBSEMIIPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.84 грн
1000+199.41 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+202.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.53 грн
10+295.57 грн
50+232.96 грн
100+199.70 грн
500+173.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.59 грн
1000+221.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+217.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+217.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.31 грн
1000+198.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+255.76 грн
1000+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+172.56 грн
3000+159.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.00 грн
1000+221.82 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.26 грн
60000+238.97 грн
90000+223.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]