Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB031NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)
1+358.40 грн
10+315.97 грн
100+225.05 грн
250+211.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.99 грн
10+385.26 грн
25+367.76 грн
100+316.06 грн
250+278.58 грн
500+248.06 грн
1000+234.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.41 грн
10+207.31 грн
100+146.95 грн
500+119.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.91 грн
10+206.41 грн
100+127.71 грн
500+119.43 грн
1000+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.07 грн
10+242.42 грн
100+173.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 179W
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 3.3mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+137.87 грн
2000+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.50 грн
10+255.63 грн
100+164.30 грн
500+139.45 грн
1000+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.56 грн
10+515.88 грн
25+498.96 грн
100+396.21 грн
250+363.15 грн
500+322.62 грн
1000+257.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.57 грн
200+180.98 грн
500+160.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+617.56 грн
28+515.88 грн
29+498.96 грн
100+396.21 грн
250+363.15 грн
500+322.62 грн
1000+257.26 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
10+239.47 грн
100+171.20 грн
500+144.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.50 грн
10+259.34 грн
50+225.51 грн
200+177.99 грн
500+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGINF07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.89 грн
10+115.72 грн
25+114.56 грн
100+109.37 грн
250+100.25 грн
500+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
1000+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.15 грн
2000+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
1000+110.79 грн
10000+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.41 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.14 грн
10+265.16 грн
100+169.82 грн
500+150.49 грн
1000+134.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3 GInfineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.02 грн
10+280.38 грн
100+200.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.20 грн
10+236.58 грн
100+154.64 грн
500+137.38 грн
1000+136.69 грн
2000+134.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.57 грн
10+129.40 грн
100+77.32 грн
800+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.55 грн
100+71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
на замовлення 5518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.57 грн
10+331.85 грн
100+231.95 грн
500+205.72 грн
1000+182.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
на замовлення 5518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GInfineon technologies
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.61 грн
10+265.95 грн
100+195.37 грн
1000+166.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.53 грн
10+332.63 грн
100+240.81 грн
500+194.45 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.18 грн
10+311.04 грн
100+225.62 грн
500+180.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+199.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GINFTO-263
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+121.47 грн
100+71.80 грн
500+61.72 грн
1000+52.26 грн
5000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.08 грн
10+69.62 грн
100+57.51 грн
500+55.37 грн
1000+48.53 грн
2000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+109.26 грн
100+74.93 грн
500+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3 GInfineon
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.61 грн
10+231.82 грн
100+163.61 грн
500+145.66 грн
1000+123.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.02 грн
200+166.77 грн
500+151.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.98 грн
10+163.54 грн
100+139.45 грн
500+138.07 грн
1000+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.49 грн
10+270.35 грн
100+192.91 грн
500+150.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.31 грн
10+454.26 грн
25+449.35 грн
100+335.98 грн
250+307.97 грн
500+268.92 грн
1000+224.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+183.63 грн
50+182.02 грн
200+166.77 грн
500+151.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.02 грн
2000+140.37 грн
3000+135.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+222.29 грн
500+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.23 грн
10+237.37 грн
100+167.75 грн
500+149.80 грн
1000+126.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.49 грн
70+205.16 грн
74+192.12 грн
100+175.23 грн
250+161.66 грн
500+154.63 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.72 грн
10+248.87 грн
100+222.29 грн
500+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.65 грн
10+208.37 грн
25+194.58 грн
100+177.33 грн
250+162.93 грн
500+155.28 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 GInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.64 грн
10+177.83 грн
100+113.91 грн
500+101.48 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GInfineon technologies
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+169.13 грн
100+129.67 грн
500+103.21 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.33 грн
10+173.07 грн
100+113.91 грн
500+95.27 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.17 грн
2000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]