Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP10NK80FPSTTO-220 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 4,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+215.86 грн
10+156.60 грн
20+147.29 грн
50+140.52 грн
100+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.72 грн
50+152.39 грн
100+143.36 грн
500+134.03 грн
1000+121.60 грн
2000+113.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTN-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+115.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMN-Ch 800V 9A 160W TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.08 грн
93+152.74 грн
100+143.69 грн
500+134.33 грн
1000+121.88 грн
2000+113.28 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z
Код товару: 139478
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.21 грн
2000+113.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFP
Код товару: 139604
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.53 грн
2000+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.65 грн
4+235.33 грн
10+209.93 грн
25+190.47 грн
50+176.92 грн
100+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72, Rds = 900 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.11 грн
10+269.32 грн
50+211.36 грн
100+180.84 грн
500+150.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.07 грн
10+176.98 грн
50+136.89 грн
100+116.36 грн
500+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.64 грн
10+133.75 грн
25+121.05 грн
50+114.28 грн
100+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.41 грн
2000+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.14 грн
2000+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60ND
Код товару: 132010
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.88 грн
10+117.94 грн
50+89.79 грн
100+75.77 грн
500+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NS04Z
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.63 грн
2000+62.99 грн
2500+62.35 грн
3000+59.50 грн
5000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STTrans MOSFET P-CH 60V 10A STP10P6F6 TSTP10P6F6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+63.63 грн
2000+62.99 грн
2500+62.35 грн
3000+59.50 грн
5000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1100STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 125mm; 65mm; 130mm; black
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Height: 65mm
Width: 125mm
Length: 0.13m
Version: ESD
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Colour: black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1100BGA-100SUNO1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1101STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 98mm; 70mm; 160mm; black
Height: 70mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Colour: black
Version: ESD
Length: 160mm
Width: 98mm
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+377.41 грн
5+330.99 грн
10+311.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1102STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 130mm; 89mm; 197mm; black
Version: ESD
Height: 89mm
Width: 130mm
Length: 197mm
Material: electrically conductive material
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Type of container: cuvette
Colour: black
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+483.16 грн
5+423.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP1103STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 159mm; 120mm; 233mm; black
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Height: 120mm
Width: 159mm
Length: 233mm
Version: ESD
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Colour: black
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+558.83 грн
5+490.13 грн
10+461.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+224.26 грн
25+137.98 грн
50+115.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+122.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.31 грн
126+112.18 грн
127+111.56 грн
500+106.02 грн
1000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.30 грн
10+151.46 грн
50+116.49 грн
100+98.73 грн
500+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7
Код товару: 189126
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+122.35 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N55F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N55F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N55F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6
Код товару: 149414
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 68V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6STMicroelectronicsMOSFETs LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+185.89 грн
142+99.99 грн
167+84.88 грн
500+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
50+79.04 грн
100+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6
Код товару: 122622
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.11 грн
500+144.65 грн
1000+134.06 грн
10000+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1120STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: box; ESD; 45mm; black; Ø: 120mm; round
Type of container: box
Material: electrically conductive material
Colour: black
Height: 45mm
Diameter: 120mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Version: ESD
Shape: round
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+377.41 грн
5+330.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1125STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: box; ESD; 123mm; 50mm; 202mm; black
Type of container: box
Material: electrically conductive material
Colour: black
Height: 50mm
Width: 123mm
Length: 202mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in transport; in warehouses; in workshops
Version: ESD
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+558.83 грн
5+490.13 грн
10+461.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP112M3.3V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP118145EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Blue
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP118145AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP118145BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N52K3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.43 грн
10+109.25 грн
50+82.98 грн
100+69.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.53 грн
10+90.58 грн
50+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.10 грн
10+104.91 грн
50+79.61 грн
100+67.03 грн
500+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]