Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP10NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+210.01 грн
10+152.36 грн
20+143.30 грн
50+136.71 грн
100+132.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.45 грн
99+143.00 грн
100+140.94 грн
500+132.99 грн
1000+120.67 грн
2000+112.32 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 4,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z
Код товару: 139478
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.43 грн
50+143.96 грн
100+141.89 грн
500+133.88 грн
1000+121.48 грн
2000+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.40 грн
50+194.45 грн
100+177.29 грн
500+138.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.72 грн
4+228.96 грн
10+204.25 грн
25+185.31 грн
50+172.13 грн
100+157.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFP
Код товару: 139604
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72, Rds = 900 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.87 грн
2000+112.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.25 грн
50+133.51 грн
100+120.92 грн
500+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.61 грн
2000+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+224.39 грн
10+130.13 грн
25+117.77 грн
50+111.18 грн
100+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.50 грн
50+87.58 грн
100+78.73 грн
500+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60ND
Код товару: 132010
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NS04Z
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+63.34 грн
2000+62.71 грн
2500+62.07 грн
3000+59.24 грн
5000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STTrans MOSFET P-CH 60V 10A STP10P6F6 TSTP10P6F6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.34 грн
2000+62.71 грн
2500+62.07 грн
3000+59.24 грн
5000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1100STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 125mm; 65mm; 130mm; black
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Height: 65mm
Width: 125mm
Length: 0.13m
Version: ESD
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Colour: black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1100BGA-100SUNO1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1101STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 98mm; 70mm; 160mm; black
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Height: 70mm
Width: 98mm
Length: 160mm
Version: ESD
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Colour: black
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+367.19 грн
5+322.02 грн
10+303.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1102STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 130mm; 89mm; 197mm; black
Version: ESD
Height: 89mm
Width: 130mm
Length: 197mm
Material: electrically conductive material
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Type of container: cuvette
Colour: black
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+470.07 грн
5+411.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP1103STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 159mm; 120mm; 233mm; black
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Height: 120mm
Width: 159mm
Length: 233mm
Version: ESD
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Colour: black
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+543.69 грн
5+476.85 грн
10+448.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+112.80 грн
126+111.68 грн
127+111.06 грн
500+105.54 грн
1000+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7
Код товару: 189126
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+121.80 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N55F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N55F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N55F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6
Код товару: 149414
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 68V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6STMicroelectronicsMOSFETs LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N7F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.95 грн
50+76.89 грн
100+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6
Код товару: 122622
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+185.06 грн
142+99.54 грн
167+84.50 грн
500+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+160.39 грн
500+144.00 грн
1000+133.47 грн
10000+114.02 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1120STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: box; ESD; 45mm; black; Ø: 120mm; round
Type of container: box
Material: electrically conductive material
Colour: black
Height: 45mm
Diameter: 120mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Version: ESD
Shape: round
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+367.19 грн
5+322.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1125STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: box; ESD; 123mm; 50mm; 202mm; black
Type of container: box
Material: electrically conductive material
Colour: black
Height: 50mm
Width: 123mm
Length: 202mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in transport; in warehouses; in workshops
Version: ESD
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+543.69 грн
5+476.85 грн
10+448.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP112M3.3V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP118145EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Blue
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP118145AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP118145BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N52K3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.87 грн
50+75.63 грн
100+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.96 грн
10+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.21 грн
10+88.12 грн
50+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.26 грн
50+77.64 грн
100+69.66 грн
500+52.24 грн
1000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40ST
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40FPSTMTO-220 07+
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40ZFPST07+ 220F
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]