Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,036 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
  • 149 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.24 грн
25+88.44 грн
100+65.86 грн
500+50.80 грн
1000+45.36 грн
2500+41.93 грн
5000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF
Код товару: 150473
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.35 грн
10+194.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.68 грн
10+128.10 грн
100+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.41 грн
90+157.47 грн
159+89.10 грн
800+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.00 грн
10+139.69 грн
100+84.17 грн
800+79.15 грн
1600+72.55 грн
2400+68.96 грн
4000+68.27 грн
5600+67.58 грн
8000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.91 грн
1600+62.44 грн
2400+59.96 грн
4000+53.65 грн
5600+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.24 грн
10+184.03 грн
25+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.41 грн
10+157.47 грн
100+89.10 грн
800+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.69 грн
168+84.17 грн
800+82.08 грн
1600+78.35 грн
2400+71.83 грн
4000+68.27 грн
5600+67.58 грн
8000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310ZPBF
Код товару: 117648
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1311International RectifierСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312International RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
44+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312L
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBF
Код товару: 40543
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInternational RectifierУСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312SPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1312STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF132IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.24 грн
50+109.00 грн
100+98.55 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+274.71 грн
67+212.62 грн
100+158.05 грн
200+135.17 грн
500+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF
Код товару: 94346
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 24 В
Струм стоку Idd, А: 249 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+54.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S
Код товару: 99460
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 24 В
Струм стоку Idd, А: 240 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7700/180
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+66.00 грн
10+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+126.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324S-7PPBF
Код товару: 98274
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+109.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF133IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF133Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.10 грн
220+64.28 грн
221+64.09 грн
500+61.59 грн
1000+55.70 грн
2000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203
Код товару: 142696
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.50 грн
25+65.54 грн
100+65.34 грн
500+62.80 грн
1000+56.79 грн
2000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.13 грн
50+106.19 грн
100+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.06 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+328.10 грн
52+276.36 грн
55+259.90 грн
100+193.91 грн
500+136.50 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+813.79 грн
24+592.70 грн
50+525.67 грн
100+476.28 грн
200+415.80 грн
500+371.95 грн
800+351.79 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+432.77 грн
100+415.13 грн
500+397.49 грн
1000+362.88 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+432.77 грн
100+415.13 грн
500+397.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135SA204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+227.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF140International RectifierMOSFET N 100V 28A 150W TO-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]