Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7350PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350PBFInfineon / IRMOSFET 100V DUAL N- & P- CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFIR
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7350TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 100V 2.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBF
Код товару: 127438
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBFInternational RectifierMOSFET 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351PBF-HXYHXY MOSFETMOSFET 60V 15A 60W 15mOhm@10V 2.5V@250uA 2 N-Channel SOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRInfineon2xN -MOSFET HEXFET 8A 60V 2W 0.18Ω IRF7351 TIRF7351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 486 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.32 грн
10+124.80 грн
100+89.30 грн
500+70.32 грн
1000+58.77 грн
2000+56.32 грн
4000+50.71 грн
8000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.39 грн
8000+40.68 грн
12000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.65 грн
115+122.91 грн
250+117.98 грн
500+109.65 грн
1000+98.22 грн
2500+91.50 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.32 грн
114+124.80 грн
159+89.30 грн
500+70.32 грн
1000+58.77 грн
2000+56.32 грн
4000+50.71 грн
8000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.98 грн
10+97.15 грн
100+65.89 грн
500+49.27 грн
1000+45.23 грн
2000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1330 @ 30, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 17,8 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.29 грн
8000+40.59 грн
12000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.26 грн
6+77.99 грн
10+70.37 грн
50+56.48 грн
100+51.55 грн
250+45.69 грн
500+41.67 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.12 грн
8000+38.97 грн
12000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7352D2TRPBF
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353IR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D1IR07+ SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D1TRIOR00+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2IR07+ SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2TRIORSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2TRPBFIOR
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353TRIOR2004
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7353TRPBF
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379IRSO-8
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379PBF
Код товару: 98276
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379QTRPBFIOR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRIR09+
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TR(94-3356)
на замовлення 50500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 5.8A
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 5.8A/4.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCIRTO-220AB
на замовлення 35965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380
Код товару: 32210
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7380PBF - IRF7380 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380QTRPBFIOR
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRInfineonN-MOSFET 3.6A 80V 2W 0.073Ω IRF7380 smd TIRF7380
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+104.43 грн
4001+93.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TR-CNCHIPNOBOTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7380; IRF7380TR; SP001555280; SP001574936; IRF7380TR-CN CHIPNOBO TIRF7380 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TR-MLMOSLEADERTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7380; IRF7380TR; SP001555280; SP001574936; IRF7380TR-ML MOSLEADER TIRF7380 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFIRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF
Код товару: 43150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.93 грн
10+65.75 грн
100+43.72 грн
500+32.15 грн
1000+29.29 грн
2000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFIRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]