Продукція > VS-

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 68 85 102 119 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-36MT100Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 1000 Volt 35 Amp
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT100Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 1KV 35A D-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-Square, D-63
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D-63
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1235.20 грн
20+1047.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT100VISHAYDescription: VISHAY - VS-36MT100 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1 kV, 35 A, D-63, 5 Pin(s), 1.19 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.19V
Bauform - Brückengleichrichter: D-63
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: VS-36MT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT100VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1000V; If: 35A; Ifsm: 475A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+996.47 грн
5+824.97 грн
10+761.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 35A D-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-Square, D-63
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D-63
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1298.75 грн
20+817.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120VISHAYDescription: VISHAY - VS-36MT120 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.2 kV, 35 A, Modul, 5 Pin(s), 1.19 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 475A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.19V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: VS-36MT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.2KV 35A 5-Pin Case D-63
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+920.31 грн
19+769.67 грн
100+671.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1200V; If: 35A; Ifsm: 475A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.2KV 35A 5-Pin Case D-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.2KV 35A 5-Pin Case D-63
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.45 грн
10+772.30 грн
100+674.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.2KV 35A 5-Pin Case D-63
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2138.50 грн
9+1648.75 грн
11+1291.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 35 Amp 1200 Volt
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120
Код товару: 38502
Додати до обраних Обраний товар
Vishay/IRДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Напруга зворотна Uзвор, V: 1200 V
Струм прямий Iпр, A: 35 A
Тип діодного моста: Трифазний
Може замінити:: SKBPC35-12
товару немає в наявності
1+143.00 грн
10+126.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.2KV 35A 5-Pin Case D-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT120 36MT120Three-phase 35A, 1200V, D-63 Силові випрямляючі мости
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT140Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 1400 Volt 35 Amp
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT140Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3P 1.4KV 35A D-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-Square, D-63
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D-63
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.4 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.87 грн
20+1250.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT140VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1400V; If: 35A; Ifsm: 475A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1897.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT140 36MT140D-63 Силові випрямляючі мости
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 1600 Volt 35 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 35A D-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-Square, D-63
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D-63
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.48 грн
20+763.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.6KV 35A 5-Pin Case D-63
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.6KV 35A 5-Pin Case D-63
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1621.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1600V; If: 35A; Ifsm: 475A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1084.87 грн
5+865.60 грн
10+722.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160VISHAYDescription: VISHAY - VS-36MT160 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.6 kV, 35 A, Modul, 5 Pin(s), 1.19 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.19V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: VS-36MT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160VishayDiode Rectifier Bridge Single 1.6KV 35A 5-Pin Case D-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160 36MT160D-63 Силові випрямляючі мости
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT160 36MT160Three-phase 35A, 1600V, D-63 Силові випрямляючі мости
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT20VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 35A 5-Pin Case D-63
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT20VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 200V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1135.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT20VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 35A 5-Pin Case D-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT20Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 200 Volt 35 Amp
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT20VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 35A 5-Pin Case D-63
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.63 грн
2+652.20 грн
10+627.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT20Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 200V 35A D-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-Square, D-63
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D-63
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT40Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 400 Volt 35 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT40Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 400V 35A D-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-Square, D-63
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D-63
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1100.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT40VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 400V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1184.88 грн
3+965.92 грн
10+881.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT5Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers Bridges - MT-e4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT5Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 600V 35A D-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60VISHAYDescription: VISHAY - VS-36MT60 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 600 V, 35 A, Modul, 5 Pin(s), 1.19 V
tariffCode: 85415000
Durchlassstoßstrom: 475A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.19V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: VS-36MT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1120.59 грн
5+951.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 600 Volt 35 Amp
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 600V 35A D-63
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-Square, D-63
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D-63
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.91 грн
20+846.65 грн
100+713.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 35A D-63
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-63
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 5-Square, D-63
Packaging: Bulk
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.19 грн
20+948.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80VISHAYDescription: VISHAY - VS-36MT80 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 35 A, Modul, 5 Pin(s), 1.19 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 475A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.19V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: VS-36MT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 800V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1160.77 грн
3+964.27 грн
5+907.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80Vishay SemiconductorsBridge Rectifiers 800 Volt 35 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80 (діодний міст)
Код товару: 35799
Додати до обраних Обраний товар
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Напруга зворотна Uзвор, V: 800 V
Струм прямий Iпр, A: 35 A
Тип діодного моста: Трифазний
Може замінити:: SKBPC35-08
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80 36MT80Three-phase 35A, 800V, D-63 Силові випрямляючі мости
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C01EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGL
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+54.03 грн
25+48.83 грн
100+40.49 грн
250+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C01EJ12-M3/HVishaySiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 1A SM SIC SKY
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C01EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ07-M3/HVishaySiC Schottky Diodes RECT 650V 2A SM SIC SKY
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ07-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.07 грн
10+50.07 грн
25+45.22 грн
100+37.44 грн
250+35.05 грн
500+33.61 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ07-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 9.5pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+55.48 грн
7000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 9.5pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 7225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.36 грн
10+79.17 грн
25+71.93 грн
100+60.04 грн
250+56.49 грн
500+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 4A 650V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.00 грн
10+181.48 грн
100+145.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 26A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.48 грн
10+115.25 грн
20+96.18 грн
50+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.83 грн
50+128.44 грн
100+105.67 грн
500+83.91 грн
1000+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL POWER SIC
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.43 грн
10+105.66 грн
100+79.87 грн
500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.13 грн
10+225.58 грн
100+160.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.19 грн
50+165.70 грн
100+152.26 грн
500+120.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SIC 1.2KV 5A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 6A 650V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.65 грн
10+212.37 грн
100+174.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 6A SM POWER SIC
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.70 грн
50+152.90 грн
100+131.05 грн
500+109.32 грн
1000+93.61 грн
2000+88.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 6A RDL POWER SIC
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.63 грн
10+139.76 грн
100+103.58 грн
500+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 8A 650V
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A SM POWER SIC
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.62 грн
10+229.46 грн
100+185.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.20 грн
50+141.47 грн
100+121.25 грн
500+111.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 68 85 102 119 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]