Продукція > 2SK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SK3767(Q)ToshibaMOSFET N-Ch 600V 2A Rdson 4.5 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3767(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3767(Q,M)ToshibaMOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET WARP-TO-200SIS MOQ=50 V=600V F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3767(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3767(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3767(STA4QM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3767,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK376J
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK376K
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK376L
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK376M
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK377
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3772-01TT ElectronicsTT Electronics MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3774-01S-TE24R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK377J
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK377K
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK377L
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK377M
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK378
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK378-P
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3782-T1NEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK379
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3793-AZRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3793-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-2-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMCP
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Power - Max: 100 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-2-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3796-2-TL-E - 2SK3796 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-2-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMCP
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 320500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-3-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 140772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-3-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3796-3-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-3-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-3-TL-E
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-3-TL-EON SemiconductorJFET Junction FET 30V 10mA Nch SMCP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3796-4-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Power - Max: 100 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMCP
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797
Код товару: 108305
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797 (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 600V 13A Rdson 0.43 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797(S4TETV,Q,MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797(S5TETV,A,XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797,S5Q(JToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797,S5X(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(SIS)PD=40W F=1MHZ
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+75.42 грн
100+64.41 грн
500+51.15 грн
1000+48.32 грн
2500+47.36 грн
5000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798,S5Q(JToshiba2SK3798,S5Q(J
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 (Q,M)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.71 грн
10+140.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+159.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(S4PHIL,Q)ToshibaMOSFET Pb-FF TO-220SIS,PRE-ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK38
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK380
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3800Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3800VLSanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Supplier Device Package: TO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3800VRSanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3801Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK381
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811TOSHIBA09+ SOT23
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811(0)-ZP-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs NCH POWER MOSFET 40V 110A 1.8MOHM D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 110A 1.8mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812(0)-ZP-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesasTO263/POWER MOSFET 2SK3812
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-25LZP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.25 грн
10+331.46 грн
100+240.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-25LZP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS2
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.00 грн
10+346.14 грн
25+295.47 грн
100+243.69 грн
250+239.55 грн
500+228.50 грн
800+173.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZ/JMNECSOT263/2.5
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-ZNEC06+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-Z-AZRenesasDescription: 2SK3813-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(0)-Z-E1-AZRenesasSwitching N-Channel Power MOS FET
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+170.10 грн
500+161.83 грн
1000+152.38 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(0)-Z-E2-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(01)-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(01)-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3 AL
Packaging: Strip
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+141.50 грн
100+112.59 грн
500+89.41 грн
1000+75.86 грн
2000+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET MP-3Z PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815SANYO05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-DL-ESanyoDescription: 2SK3815 - N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-DL-ESanyo Electric2SK3815-DL-E
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.96 грн
500+80.07 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3815-E - 2SK3815 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EON Semiconductor2SK3815-E
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.96 грн
500+80.07 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-1EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]