Продукція > 2SK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SK3797
Код товару: 108305
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797 (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 600V 13A Rdson 0.43 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797(S4TETV,Q,MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797(S5TETV,A,XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797,S5Q(JToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3797,S5X(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs X33 POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(SIS) MOQ=2500 PD=40W F=1MHZ
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798,S5Q(JToshiba2SK3798,S5Q(J
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 (Q,M)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+158.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.18 грн
10+141.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(S4PHIL,Q)ToshibaMOSFET Pb-FF TO-220SIS,PRE-ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK38
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK380
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3800Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3800VLSanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Supplier Device Package: TO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3800VRSanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3801Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK381
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811TOSHIBA09+ SOT23
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811(0)-ZP-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs NCH POWER MOSFET 40V 110A 1.8MOHM D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 110A 1.8mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812(0)-ZP-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesasTO263/POWER MOSFET 2SK3812
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-25LZP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS2
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-25LZP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.97 грн
10+334.52 грн
100+243.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3812-ZP-E1-AZ/JMNECSOT263/2.5
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-ZNEC06+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-Z-AZRenesasDescription: 2SK3813-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3813-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(0)-Z-E1-AZRenesasSwitching N-Channel Power MOS FET
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+161.47 грн
1000+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(0)-Z-E2-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(01)-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814(01)-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+118.67 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET MP-3Z PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3 AL
Packaging: Strip
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+142.81 грн
100+113.63 грн
500+90.23 грн
1000+76.56 грн
2000+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815SANYO05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-DL-ESanyo Electric2SK3815-DL-E
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-DL-ESanyoDescription: 2SK3815 - N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EON Semiconductor2SK3815-E
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3815-E - 2SK3815 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-1EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+110.55 грн
500+99.49 грн
1000+91.75 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3816-DL-1E - 2SK3816-DL-1E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EXonsemiDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3817-DL-EonsemiMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3817-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-ESanyoDescription: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3818-DL-E - 2SK3818-DL-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.83 грн
10000+94.42 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3819-DL-E - 2SK3819 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.83 грн
10000+94.42 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK382
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-1EXonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-1EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3820-DL-1EX - 2SK3820 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-EonsemiMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 18594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+238.51 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3821-E - 2SK3821 - MOSFET N-CHANNEL 100V 40A SMP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3823onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3824onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3826onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3826onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3827onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK383
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]