Продукція > VS-

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-3C04ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 29A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.16 грн
2400+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.85V
Max. forward impulse current: 26A
Kind of package: tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.64 грн
10+147.73 грн
20+126.27 грн
50+89.13 грн
100+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.06 грн
50+127.84 грн
100+105.18 грн
500+83.52 грн
1000+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL POWER SIC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.72 грн
10+105.17 грн
100+79.50 грн
500+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.49 грн
10+224.53 грн
100+159.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 60W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SIC 1.2KV 5A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.76 грн
50+164.94 грн
100+151.56 грн
500+120.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 6A 650V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 6A SM POWER SIC
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.51 грн
10+211.39 грн
100+173.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 6A RDL POWER SIC
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.77 грн
50+152.19 грн
100+130.44 грн
500+108.82 грн
1000+93.17 грн
2000+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.42 грн
10+134.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.74 грн
10+139.12 грн
100+103.10 грн
500+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C08ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 8A 650V
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C08ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A SM POWER SIC
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.30 грн
10+228.40 грн
100+184.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: tube
Technology: SiC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+222.19 грн
10+176.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.35 грн
50+140.81 грн
100+120.69 грн
500+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C08ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL POWER SIC
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.77 грн
10+157.39 грн
100+119.82 грн
500+100.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10CP12L-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10CP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 2X 5A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EP12L-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 115W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EP12L-M3VishaySiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL POWER SIC
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.47 грн
10+200.54 грн
50+156.01 грн
100+132.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.61 грн
10+315.89 грн
100+258.83 грн
500+206.78 грн
1000+181.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.63 грн
10+218.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C10EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 8434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.56 грн
10+194.60 грн
100+147.73 грн
500+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C10EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 12A 650V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.02 грн
10+211.54 грн
25+194.75 грн
100+165.39 грн
250+157.11 грн
500+152.12 грн
1000+145.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3\IVishay Sic-G3-SMPD 2L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.94 грн
5+318.56 грн
10+283.07 грн
25+256.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM POWER SIC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+301.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.42 грн
10+404.06 грн
100+331.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.05 грн
10+384.75 грн
100+315.22 грн
500+251.83 грн
1000+220.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.73 грн
10+258.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL POWER SIC
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15EP12L-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; Ir: 75uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 75µA
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15EP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 15A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+260.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.24 грн
10+352.06 грн
100+267.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 111W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.33 грн
50+313.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL POWER SIC
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C16CP07L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-247AD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 54A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.87 грн
25+379.16 грн
100+339.24 грн
500+280.90 грн
1000+252.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.