Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7413ZGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZGTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 9393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFInternational Rectifier(SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFTRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTR
Код товару: 122875
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 110 шт
  • 99 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z TIRF7413z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTR
Код товару: 122859
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.70 грн
100+8.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.18 грн
16+53.77 грн
100+35.27 грн
500+27.08 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 13653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.82 грн
10+41.19 грн
100+24.16 грн
250+24.02 грн
500+18.57 грн
1000+15.71 грн
2500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.28 грн
10+35.02 грн
100+23.63 грн
500+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInternational Rectifier(SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+61.08 грн
313+45.37 грн
425+33.40 грн
540+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.27 грн
500+27.08 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.89 грн
12+35.47 грн
25+31.94 грн
50+29.33 грн
100+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.95 грн
267+53.18 грн
387+36.66 грн
500+27.97 грн
1000+22.71 грн
2000+20.66 грн
4000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.66 грн
500+17.78 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.27 грн
10+36.54 грн
100+23.75 грн
500+17.13 грн
1000+15.46 грн
2000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.32 грн
10+38.14 грн
100+21.58 грн
500+16.83 грн
1000+13.83 грн
4000+12.08 грн
8000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.38 грн
21+39.35 грн
100+25.66 грн
500+17.78 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7414IR09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7414TRIR09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416DIR09+
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416GIR09+
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
на замовлення 3266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInternational RectifierMOSFET, -30V, -10A, SO-8 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 3 Од
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416QTRPBFIOR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR JGSEMI TIRF7416 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR UMW TIRF7416 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 73462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+106.08 грн
183+77.47 грн
244+58.20 грн
500+45.23 грн
1000+38.56 грн
2000+35.73 грн
4000+32.60 грн
8000+31.96 грн
12000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 15824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.47 грн
500+40.92 грн
1000+34.56 грн
5000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.37 грн
10+51.44 грн
25+43.71 грн
100+33.62 грн
250+27.82 грн
500+24.96 грн
1000+24.12 грн
2000+23.11 грн
4000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 12683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.26 грн
10+77.24 грн
100+51.42 грн
500+37.85 грн
1000+34.50 грн
2000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+48.65 грн
1000+44.47 грн
2000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
11+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 38 шт
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8 шт
  • 8 шт - очікується
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 15824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.39 грн
13+66.88 грн
100+48.47 грн
500+40.92 грн
1000+34.56 грн
5000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.09 грн
10+78.05 грн
100+44.97 грн
500+35.68 грн
1000+31.70 грн
2000+28.98 грн
4000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.43 грн
8000+29.11 грн
12000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+48.32 грн
1000+44.18 грн
2000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.64 грн
10+84.68 грн
25+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.04V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7418IR09+
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7418TRIR09+
на замовлення 9345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420
Код товару: 22021
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 11,5 A
Rds(on),Om: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
  • 1 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInfineonMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFIRF7420PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPB
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF
Код товару: 195254
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 9,8 A
Rds(on),Om: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
Монтаж: SMD
у наявності: 128 шт
  • 74 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.00 грн
10+33.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.31 грн
10+91.95 грн
25+91.03 грн
50+86.90 грн
100+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421IR09+
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ с диодом Шоттки (Vds=30V, Id=5,8A@T=25C, Id=4,6A@T=70C, Rds=0.035 R , P=2.0W, -55 to +150C), Schottky Vf = 0.39V... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.71 грн
11+27.54 грн
100+22.78 грн
500+19.54 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421IIR09+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421TRIR09+
на замовлення 3341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7421TRPBFIRSOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422IOR09+
на замовлення 8033 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2IRSO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2PBFIOR09+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]