Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7410GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+44.82 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 16A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.68 грн
50+36.88 грн
100+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 14A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7410; IRF7410GTR; IRF7410TR; SP001555300; SP001565508; SP001559852; IRF7410TR JSMICRO TIRF7410 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRInfineonP-MOSFET 16A 12V 2.5W 0.007Ω IRF7410 smd TIRF7410
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.60 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+54.98 грн
1000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.02 грн
1000+44.81 грн
2000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7411IR09+
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413International RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+387.61 грн
25+245.55 грн
100+184.40 грн
500+142.43 грн
1000+126.84 грн
2500+116.93 грн
5000+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413(PBF)IRSOP8
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413AInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413AIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413APbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ATRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ATRIOR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ATRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ATRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ATRPBF
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413IRIRSOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413PBF
Код товару: 40660
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,011 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/52
Монтаж: SMD
у наявності: 37 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+49.50 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 52 @ 7,3 A, Rds = 18 мО @ 4,5 B, 3,7 A, Ugs(th) = 1...3 @ Vds = Vgs, 250 uA, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413QPBFInternational RectifierSO 8, 30V, 13A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 15A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR JSMICRO TIRF7413 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR HXY MOSFET TIRF7413 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 15A; 4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR JGSEMI TIRF7413 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR UMW TIRF7413 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413 TIRF7413
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 15A; 4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR JGSEMI TIRF7413 JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH, Udss=30V, Id=12A, SO-8, -55...+150 Транзистори
на замовлення 425 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7413TRPBF - IRF7413 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413Z PBF
Код товару: 25377
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,011 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.90 грн
100+10.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZGTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 9393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFInternational Rectifier(SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZPBFTRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z TIRF7413z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTR
Код товару: 122859
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1210/9,5
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.70 грн
100+8.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTR
Код товару: 122875
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1210/9,5
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 100 шт
  • 96 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+60.84 грн
313+45.22 грн
424+33.32 грн
539+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInternational Rectifier(SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.84 грн
17+45.22 грн
100+33.32 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 13653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.59 грн
267+53.00 грн
387+36.56 грн
500+27.91 грн
1000+22.66 грн
2000+20.62 грн
4000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
10+40.74 грн
100+26.47 грн
500+19.09 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.59 грн
15+53.00 грн
100+36.56 грн
500+27.91 грн
1000+22.66 грн
2000+20.62 грн
4000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7414IR09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7414TRIR09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416DIR09+
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416GIR09+
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
на замовлення 3266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInternational RectifierMOSFET, -30V, -10A, SO-8 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 3 Од
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416QTRPBFIOR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]