Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4947ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADY-TI-E3
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADYT1E3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947DYVISHAY09+
на замовлення 568 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 3.5A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947DY-T1SI99
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947DY-T1-E3
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947DY-TE2
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948SIEMENS01+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BDYVISHAY05+
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BDY-T1-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BDYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYVISHAY05+ SOP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYUMWDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYUMWDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.82 грн
10+42.47 грн
100+27.74 грн
500+20.06 грн
1000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1VishayMOSFT 2 P-Ch 60V 2.4A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3
Код товару: 149484
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.62 грн
10+80.79 грн
100+54.36 грн
500+40.38 грн
1000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 78915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.06 грн
131+107.96 грн
190+73.99 грн
250+70.64 грн
500+52.49 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.81 грн
5000+33.01 грн
7500+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3Vishay2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.03 грн
10+109.06 грн
25+107.96 грн
100+71.35 грн
250+65.40 грн
500+50.39 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Power dissipation: 0.95W
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.19 грн
10+69.76 грн
100+49.83 грн
250+43.57 грн
500+39.20 грн
1000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.62 грн
10+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.70 грн
22+34.16 грн
23+33.86 грн
25+32.36 грн
100+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3
Код товару: 196052
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.28 грн
124+114.01 грн
250+91.62 грн
500+73.03 грн
1000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYT1E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948DYVISHAY09+
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948DY-T1-E3
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948EY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 60V 3.1A 2.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948EY-T1VISHAY09+
на замовлення 6252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4948EY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 3.1A 2.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4948EY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948EYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4949DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4949EYSILICON03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4949EY-T1SI
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4952VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4952DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4952DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4952DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4952DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953SI98
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953(4953/0819)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953-3
на замовлення 124542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953-5
на замовлення 17867 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953A20 SOP
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953A-T1-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADWFVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADYVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-E3
Код товару: 31722
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1VISHAY2005
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.9A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1-E3VTSHAY09+
на замовлення 42518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953ADYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYKEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 4.9A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.34 грн
500+84.90 грн
1000+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 DUAL PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DY-E3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DY-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DY-T1SILICON09+
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DY-TI
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYT1E3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4955DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]