Продукція > 2sk

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SK40A
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK40B
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK40C
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK40D
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK41
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK410HITACHI
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4100LSSanyo ElectricTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FI
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4100LSSanyoDescription: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4100LS-T-MG5ON Semiconductor2SK4100LS-T-MG5
на замовлення 6406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+142.61 грн
1000+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4100LS-T-MG5ON Semiconductor2SK4100LS-T-MG5
на замовлення 21566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+142.61 грн
1000+134.36 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4100LS-T-MG5ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4100LS-T-MG5 - 2SK4100LS - SWITCHING DEVICE
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4100LS-T-MG5onsemiDescription: SWITCHING DEVICE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 27972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+115.42 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4101FSONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4101FS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.4 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 474038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4101FSonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 811193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4101FSON SemiconductorN-CHANNEL SILICON MOSFET
на замовлення 811193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+73.17 грн
537+65.85 грн
1000+60.73 грн
10000+52.22 грн
100000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4101FS-V-HonsemiDescription: NCH 10V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+122.80 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4101FS-V-HON Semiconductor2SK4101FS-V-H
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4101FS-V-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4101FS-V-H - 2SK4101FS - N-CHANNEL 10V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4101LS-CB11onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4103
Код товару: 83547
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4106
Код товару: 163596
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4106TOS
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4107
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4107 (транзистор)
Код товару: 51721
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4107(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1257.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4107(F,T)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 500V, 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4107(STA1,E,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4108(F,T)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 500V, 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4108(STA1,E,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4108(STA1,E,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1861.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK411
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4111
Код товару: 162476
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4111(Q,T)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4112
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4115ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4115
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4115
Код товару: 103452
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4115(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4115(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4115(F)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4116LSonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 8.9A TO220FI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FI(LS)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4117LSonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.4A TO220FI
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FI(LS)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK412
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4120LSONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4120LS - 2SK4120LS, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4120LSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 450V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FI
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.82 грн
1014+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4120LSonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4123LSSanyoDescription: 2SK412184500.34OHN-CHANNMOSFETO-
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4124onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4124onsemiMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4124-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4125ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4125 - 2SK4125, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4125onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4125ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB Tray
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+537.45 грн
100+510.34 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4125onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+382.49 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4125onsemiMOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4125-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4125-1EXonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4126onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK413
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4138
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4139
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK414
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4144(0)-S12-AZRenesasMOS Field Effect Transistor
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+459.66 грн
100+437.27 грн
500+413.70 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4144(0)-S12-AZRenesasDescription: 2SK4NSINGPOWMOSF675.8MOMP-45F/TO
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4144(01)-S6-AZRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4144(01)-S6-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4144-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+230.15 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4144AZRenesasMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1257.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4145
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4145-S19-AYRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4145-S19-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4145-S19-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+173.26 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4146-S19-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 34909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4146-S19-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 34909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
10000+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4147-T1BNEC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4148KNECTO92
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK415
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4150TZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4150TZ-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+87.40 грн
500+78.67 грн
1000+72.54 грн
10000+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4150TZ-ERenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4150TZ-ERenesasDescription: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4151TZ-ERenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4151TZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4151TZ-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 150V 1A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+97.36 грн
500+87.63 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK416
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4161DSanken Electric USA Inc.Description: MOS FET 60V/100A/0.0038
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1020 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4161DSanken Electric Company, Ltd.N Channel Trench Power Mosfet Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.23 грн
44+325.30 грн
58+247.51 грн
200+225.03 грн
500+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK416L
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK416S
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK417
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4171onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 75W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177onsemi NCH 2A 1500V 13OHMS TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 80
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EonsemiMOSFETs N-Channel Power MOSFET, 1500V, 2A, 13ohm, TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+381.69 грн
10+325.02 грн
25+289.85 грн
100+254.67 грн
250+198.85 грн
500+190.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]