Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.40 грн
426+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+53.94 грн
1000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.47 грн
8000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 16731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.30 грн
500+32.38 грн
1000+25.98 грн
5000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+32.73 грн
438+32.41 грн
445+31.91 грн
447+30.60 грн
500+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+53.94 грн
1000+49.74 грн
10000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.79 грн
10+44.89 грн
100+32.61 грн
500+30.93 грн
1000+28.42 грн
4000+23.88 грн
8000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+53.94 грн
1000+49.74 грн
10000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 16731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.57 грн
12+68.84 грн
100+41.30 грн
500+32.38 грн
1000+25.98 грн
5000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.25 грн
24+32.73 грн
25+32.41 грн
100+30.77 грн
250+28.33 грн
500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7470PBF - IRF7470 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBF (PB FREE)IRSO-8
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBF (транзистор)
Код товару: 50399
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBF(PBFREE)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.09 грн
189+75.13 грн
208+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.07 грн
250+65.66 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.24 грн
50+66.07 грн
250+65.66 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7470TRPBF - IRF7470 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFIRF7470TRPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
на замовлення 10564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.20 грн
10+88.33 грн
100+58.59 грн
1000+46.92 грн
4000+42.25 грн
8000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF (PB FREE)IRSO-8
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF(PBFREE)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471PBF
Код товару: 23971
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 40 V
Idd,A: 10 А
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471PBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRPBFIOR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473International RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.80 грн
25+89.78 грн
100+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473
Код товару: 22644
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 100 V
Idd,A: 6,9 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/61
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7473PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBF
Код товару: 127918
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRIR00+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
514+68.95 грн
1000+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.20 грн
10+98.77 грн
100+59.49 грн
500+47.41 грн
1000+43.50 грн
2000+40.29 грн
4000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
514+68.95 грн
1000+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3180, Qg, нКл = 61, Rds = 26 мОм, Ugs(th) = 5,5, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474
Код товару: 40824
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474IRF7474 Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474TRPBFIRF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBFIOR
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 15A 8-Pin SOIC
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+103.70 грн
190+91.52 грн
380+81.45 грн
950+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2550 @ 6, Qg, нКл = 40 @ 4,5 В, Rds = 8 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,9 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFIR
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRUMWDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRUMWDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
828+42.81 грн
1000+39.48 грн
10000+35.20 грн
100000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRIOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRPBFIOR
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478IRSO-8
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]