Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7465International RectifierN-MOSFET 1.9A 150V 2.5W 0.28Ω IRF7465 TIRF7465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 280mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465PBF
Код товару: 114077
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRIR05+
на замовлення 7158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInternational RectifierIRF7465TRPBF IRF7465PBF MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF
Код товару: 126960
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.94 грн
34+22.19 грн
100+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.25 грн
10+51.66 грн
100+33.98 грн
500+24.75 грн
1000+22.46 грн
2000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466TRPBFIRF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 16nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2530 @ 15, Qg, нКл = 32 @ 4,5 В, Rds = 12 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+30.37 грн
190+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7467TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468PBFInternational RectifierSingle N-Channel HEXFET Power MOSFET, 40V, 9.4A, SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 23nC
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 35mOhm; 9,4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7468; IRF7468TR; SP001559918; SP001570352; IRF7468TR UMW TIRF7468 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRIOR
на замовлення 101380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 9A 15.5mOhm 23nC
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRPBFIOR
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 9 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2000 @ 20, Qg, нКл = 23 @ 4,5 B, Rds = 12 мОм @ 9 А, 10В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 17mOhms 15nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469PBF
Код товару: 86003
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 15,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/15
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 40V 9A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+32.59 грн
438+32.27 грн
445+31.77 грн
447+30.46 грн
500+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 16731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+53.70 грн
1000+49.52 грн
10000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+53.70 грн
1000+49.52 грн
10000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.09 грн
24+32.59 грн
25+32.27 грн
100+30.64 грн
250+28.21 грн
500+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 16731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.44 грн
8000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.25 грн
426+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+53.70 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.33 грн
8000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7470PBF - IRF7470 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBF (PB FREE)IRSO-8
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBF (транзистор)
Код товару: 50399
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470PBF(PBFREE)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
на замовлення 10564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7470TRPBF - IRF7470 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.41 грн
189+74.79 грн
208+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFIRF7470TRPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF (PB FREE)IRSO-8
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF(PBFREE)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471PBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471PBF
Код товару: 23971
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]