Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7471TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRPBFIOR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473
Код товару: 22644
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 6,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,026 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3180/61
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473International RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.24 грн
25+89.38 грн
100+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7473PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBF
Код товару: 127918
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473PBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRIR00+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.70 грн
514+68.64 грн
1000+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3180, Qg, нКл = 61, Rds = 26 мОм, Ugs(th) = 5,5, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.70 грн
514+68.64 грн
1000+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474
Код товару: 40824
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474IRF7474 Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7474TRPBFIRF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBFIOR
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 15A 8-Pin SOIC
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+103.24 грн
190+91.12 грн
380+81.09 грн
950+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFIR
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2550 @ 6, Qg, нКл = 40 @ 4,5 В, Rds = 8 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,9 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRUMWDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRUMWDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
828+42.62 грн
1000+39.31 грн
10000+35.04 грн
100000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRIOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7477TRPBFIOR
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478IRSO-8
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478PBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478QPBFIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478QTRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRInfineon / IRMOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: PTS6012; IRF7478; IRF7478TR; IRF7478-GURT; Obsolete; IRF7478; IRF7478TR TIRF7478
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.27 грн
12+68.03 грн
25+62.99 грн
100+48.54 грн
250+44.49 грн
500+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 23402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.93 грн
10+143.62 грн
100+99.49 грн
500+75.67 грн
1000+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 33098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.23 грн
500+139.94 грн
1000+129.36 грн
10000+110.77 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 13969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.23 грн
500+139.94 грн
1000+129.36 грн
10000+110.77 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+66.66 грн
9600+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 8682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.59 грн
10+132.47 грн
25+131.15 грн
50+125.20 грн
100+100.85 грн
250+96.06 грн
500+94.33 грн
1000+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 50600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.23 грн
500+139.94 грн
1000+129.36 грн
10000+110.77 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 128152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.23 грн
500+139.94 грн
1000+129.36 грн
10000+110.77 грн
100000+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF
Код товару: 200134
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.59 грн
107+132.47 грн
108+131.15 грн
109+125.20 грн
125+100.85 грн
250+96.06 грн
500+94.33 грн
1000+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInfineon / IRMOSFET 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7483MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R Si - Arrow.com
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.59 грн
500+123.48 грн
1000+114.20 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.59 грн
500+123.48 грн
1000+114.20 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.59 грн
500+123.48 грн
1000+114.20 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484PBFIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484QInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=40V, Id=14A@Vgs=7V, P=2.5W, ), Pb-free.... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1045 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7484QTRPBFIOR
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]