Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1
Код товару: 116188
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.85 грн
10+60.81 грн
100+37.83 грн
500+31.42 грн
1000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.23 грн
10+84.13 грн
100+57.13 грн
500+48.42 грн
1000+39.43 грн
2500+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 28329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.27 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+78.27 грн
100+52.86 грн
500+39.38 грн
1000+36.09 грн
2000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
4+104.04 грн
10+84.93 грн
100+57.20 грн
500+48.49 грн
1000+38.18 грн
2500+37.21 грн
5000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.27 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.73 грн
11+79.50 грн
100+58.36 грн
500+39.55 грн
1000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+76.52 грн
100+44.31 грн
500+36.30 грн
1000+31.84 грн
2500+30.86 грн
5000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.40 грн
385+36.83 грн
391+36.25 грн
397+34.41 грн
500+31.33 грн
1000+29.59 грн
3000+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.98 грн
21+37.40 грн
25+36.83 грн
100+34.96 грн
250+31.86 грн
500+30.08 грн
1000+29.59 грн
3000+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.67 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
17+50.56 грн
100+38.37 грн
500+27.93 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.67 грн
1000+55.95 грн
10000+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.67 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+71.03 грн
100+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesBSC025N08LS5
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.84 грн
45+320.45 грн
50+308.24 грн
100+287.15 грн
250+257.82 грн
500+240.77 грн
1000+234.88 грн
2500+229.70 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+152.09 грн
25+143.68 грн
100+123.96 грн
250+117.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+221.91 грн
50+181.26 грн
250+152.81 грн
1000+125.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+158.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+149.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+144.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.64 грн
250+163.38 грн
1000+124.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+342.98 грн
50+284.05 грн
55+258.12 грн
100+217.08 грн
500+174.69 грн
1000+153.56 грн
2000+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.77 грн
10+151.43 грн
100+114.96 грн
500+109.39 грн
1000+101.72 грн
2500+96.84 грн
5000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+185.04 грн
1000+174.44 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.24 грн
10+105.76 грн
100+73.16 грн
250+54.62 грн
5000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KS GInfineon
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGInfineon TechnologiesDescription: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 27190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC026N02KSGAUMA1 - BSC026N02 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 26892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.50 грн
16+49.72 грн
25+48.94 грн
100+46.44 грн
250+42.30 грн
500+39.95 грн
1000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSInfineon technologies
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.60 грн
130+109.47 грн
250+105.09 грн
500+97.67 грн
1000+87.49 грн
2500+81.51 грн
5000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSInfineonMOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.49 грн
10+80.92 грн
100+45.98 грн
500+36.16 грн
1000+30.93 грн
2500+28.50 грн
5000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.32 грн
13+60.98 грн
25+60.36 грн
100+52.80 грн
250+48.40 грн
500+44.16 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.17 грн
10+68.83 грн
100+40.41 грн
500+31.63 грн
1000+26.48 грн
5000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.29 грн
250+33.33 грн
1000+30.12 грн
3000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.65 грн
100+41.71 грн
500+30.71 грн
1000+27.99 грн
2000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.67 грн
228+62.05 грн
247+57.45 грн
250+54.84 грн
500+47.29 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.55 грн
50+41.29 грн
250+33.33 грн
1000+30.12 грн
3000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5Infineon
на замовлення 14128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.50 грн
52+273.66 грн
100+264.38 грн
250+247.20 грн
500+222.67 грн
1000+208.53 грн
2500+203.93 грн
5000+199.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+275.99 грн
59+239.87 грн
100+173.66 грн
250+159.11 грн
500+127.13 грн
1000+113.63 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+268.24 грн
50+169.07 грн
250+128.43 грн
1000+103.41 грн
3000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.53 грн
10+160.25 грн
100+106.60 грн
500+98.24 грн
2500+91.97 грн
5000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.33 грн
52+275.80 грн
100+206.26 грн
500+160.25 грн
1000+138.91 грн
2000+124.26 грн
5000+119.21 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+185.33 грн
250+141.44 грн
1000+120.77 грн
3000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
10+204.85 грн
100+143.70 грн
500+110.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.11 грн
10+247.13 грн
25+242.04 грн
100+168.93 грн
250+154.06 грн
500+121.63 грн
1000+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 16375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+69.29 грн
100+46.22 грн
500+34.11 грн
1000+31.12 грн
2000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.30 грн
10+68.18 грн
100+40.55 грн
500+33.23 грн
1000+28.50 грн
2500+27.94 грн
5000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.96 грн
202+70.04 грн
237+59.87 грн
250+56.05 грн
500+44.88 грн
1000+35.83 грн
3000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.63 грн
100+46.49 грн
500+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.66 грн
10000+25.81 грн
15000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.34 грн
11+72.40 грн
25+71.46 грн
100+56.27 грн
250+50.57 грн
500+41.02 грн
1000+35.53 грн
3000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.56 грн
176+80.50 грн
206+68.83 грн
214+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.49 грн
500+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N03SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.67 грн
10+65.22 грн
100+37.62 грн
500+29.75 грн
1000+26.75 грн
2500+25.29 грн
5000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]