Продукція > FDP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800onsemiMOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5800
Код товару: 60606
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6 мОм
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50onsemiMOSFETs 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemi / FairchildMOSFET N-Chan UniFET2 500V
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
на замовлення 63536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035A
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 106637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP603AL
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.24 грн
10+127.20 грн
100+126.23 грн
500+113.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.14 грн
250+166.39 грн
500+147.54 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.60 грн
50+122.44 грн
100+110.83 грн
500+84.90 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.09 грн
115+123.24 грн
500+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+124.09 грн
100+123.24 грн
500+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20onsemiMOSFETs 200V N-Channel MOSFET
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20
Код товару: 150150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 38.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
10+148.44 грн
20+124.96 грн
50+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ONS/FAIFDP61N20 MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.33 грн
112+126.32 грн
113+125.35 грн
500+113.50 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06,ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 28285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6670AL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 20082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP70301_88RF002A
на замовлення 64890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.41 грн
522+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.41 грн
522+67.87 грн
1000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.41 грн
522+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 70272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 57077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.41 грн
522+67.87 грн
1000+62.59 грн
10000+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.41 грн
522+67.87 грн
1000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.41 грн
522+67.87 грн
1000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.41 грн
522+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLonsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLNLFSC
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BLSonsemi / FairchildMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LonsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030LON SemiconductorFDP7030L
на замовлення 29300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
10000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7030L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
на замовлення 33223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
на замовлення 165881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+231.63 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7045L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08Aonsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.92 грн
10+128.10 грн
25+121.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP79N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP7N50ON Semiconductor500V, NCH , MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.