Продукція > IPW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPW60R160P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.92 грн
64+223.66 грн
66+214.79 грн
120+163.92 грн
510+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.09 грн
30+228.79 грн
60+220.36 грн
120+170.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 104830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.42 грн
30+175.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.79 грн
65+220.36 грн
120+170.11 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.99 грн
30+221.75 грн
60+212.95 грн
120+162.51 грн
510+148.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPInfineon TechnologiesDescription: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.88 грн
30+218.74 грн
60+198.51 грн
120+170.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R170CFD7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R170CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R170CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R170CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.77 грн
30+176.09 грн
60+159.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R170CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R170CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.70 грн
71+199.36 грн
120+163.10 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+425.48 грн
39+364.20 грн
50+301.73 грн
100+280.72 грн
200+244.14 грн
240+223.27 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.97 грн
30+244.55 грн
60+205.98 грн
120+168.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+358.30 грн
50+334.73 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+208.91 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+154.92 грн
1200+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.50 грн
100+165.40 грн
120+162.38 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+162.79 грн
480+143.45 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+173.31 грн
480+154.92 грн
1200+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+374.04 грн
40+357.97 грн
50+344.34 грн
100+320.77 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 132960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+285.53 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.25 грн
30+146.91 грн
60+132.43 грн
120+112.83 грн
510+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+173.43 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.23 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.33 грн
69+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6
Код товару: 133423
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.91 грн
30+178.81 грн
60+161.73 грн
120+138.27 грн
510+116.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.75 грн
3+238.18 грн
10+197.08 грн
30+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+466.99 грн
55+260.99 грн
61+234.14 грн
120+203.93 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1InfineonIPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.15 грн
30+262.11 грн
60+235.12 грн
120+204.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+467.24 грн
55+261.05 грн
61+234.17 грн
120+203.99 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6Infineon TechnologiesDescription: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+176.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.17 грн
30+166.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6
Код товару: 107275
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+364.69 грн
41+349.01 грн
50+335.72 грн
100+312.75 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.52 грн
64+221.04 грн
72+197.93 грн
120+141.55 грн
510+127.70 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+162.78 грн
480+139.28 грн
1200+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
30+152.84 грн
60+137.84 грн
120+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.52 грн
66+216.61 грн
73+195.46 грн
120+142.13 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+162.78 грн
480+139.28 грн
1200+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.27 грн
30+223.69 грн
60+200.31 грн
120+143.24 грн
510+129.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.72 грн
30+223.81 грн
60+201.95 грн
120+146.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPInfineon TechnologiesDescription: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.69 грн
10+304.79 грн
100+257.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+374.33 грн
50+304.56 грн
100+280.04 грн
200+258.22 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.88 грн
48+298.99 грн
100+255.32 грн
240+204.28 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.39 грн
10+308.91 грн
100+263.80 грн
240+211.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.