Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190E6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190E6 | Infineon | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS E6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6 Код товару: 107275
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R199CP | Infineon Technologies | Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R230P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 248 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R250CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 148 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R250CP | INF | TO-247 | на замовлення 22080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R280C6 | Infineon technologies | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R280C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 14160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 13920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 14160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6 | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280E6 | Infineon technologies | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280P6 | Infineon | на замовлення 56820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R280P6 Код товару: 169317
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R280P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R299CP | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R330P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R330P6 | Infineon Technologies | Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW60R330P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | на замовлення 36480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 314 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65F6048A | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65F6048A | Infineon Technologies | IPW65F6048A | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 116A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW65R018CM8XKSA1 | на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 116A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon | на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon | N-Channel MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

