Продукція > NSV

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.70 грн
1000+2.86 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.77 грн
81+9.37 грн
82+9.21 грн
169+4.32 грн
250+3.96 грн
500+3.77 грн
1000+3.74 грн
3000+3.73 грн
6000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.59 грн
49+15.44 грн
50+14.64 грн
100+6.89 грн
250+6.34 грн
500+6.17 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GonsemiDigital Transistors SS SC70 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 134947 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 50V
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
6000+3.37 грн
9000+3.18 грн
15000+2.78 грн
21000+2.66 грн
30000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XSTR NPN
на замовлення 21279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.45 грн
71+11.46 грн
114+7.19 грн
500+4.89 грн
1000+3.55 грн
5000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 6592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.93 грн
100+7.43 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.89 грн
1000+3.55 грн
5000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.32 грн
100+7.03 грн
500+4.86 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.24 грн
500+7.06 грн
1000+5.16 грн
5000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.60 грн
30+25.48 грн
100+13.90 грн
500+8.92 грн
1000+5.75 грн
2500+4.96 грн
10000+4.37 грн
20000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.47 грн
46+16.56 грн
47+16.39 грн
100+8.69 грн
250+7.97 грн
500+5.04 грн
1000+4.11 грн
3000+3.88 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 5796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.99 грн
50+16.42 грн
100+10.24 грн
500+7.06 грн
1000+5.16 грн
5000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1570+9.01 грн
1584+8.93 грн
2404+5.88 грн
2947+4.63 грн
3125+4.04 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 1570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
100+8.90 грн
500+6.19 грн
1000+5.48 грн
2000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.36 грн
51+14.99 грн
100+8.17 грн
500+5.25 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+8.17 грн
2600+5.44 грн
3572+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 1731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN
на замовлення 10126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+8.51 грн
500+5.90 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.60 грн
100+5.32 грн
500+3.65 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 7915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CDW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 30V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.49 грн
130+6.29 грн
208+3.92 грн
500+2.66 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
6000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+10.49 грн
130+6.29 грн
208+3.92 грн
500+2.66 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 17103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 85391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
52+5.81 грн
100+3.59 грн
500+2.44 грн
1000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC849BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
6000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 8305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.25 грн
100+7.00 грн
500+4.83 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.32 грн
100+7.03 грн
500+4.86 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XSTR PNP
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 17971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.30 грн
100+7.65 грн
500+5.30 грн
1000+4.68 грн
2000+4.17 грн
5000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857BLT3G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 213977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR PNP
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 74330 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1G-M01onsemiDescription: TRANS 45V 0.1A SC70-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1G-M02onsemiDescription: TRANS 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SC70
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC858AWT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 11344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 30V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+12.00 грн
100+7.51 грн
500+5.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
21+15.02 грн
100+7.70 грн
500+5.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR PNP 80V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]