Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1109TOSHIBA09+
на замовлення 18018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109F
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109MFV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+8.46 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
2000+4.63 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.64 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
2000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
на замовлення 13234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F(BToshibaRN1110MFV,L3F(B
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.58 грн
4066+3.48 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1110MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.22 грн
116+7.05 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1110MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.22 грн
116+7.05 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F(TToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
3808+3.72 грн
4871+2.90 грн
5227+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LF(CTToshibaDigital Transistors SSM TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 10702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.53 грн
100+7.81 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111FS
на замовлення 49628 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111FTTOSHIBA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111N491A-TR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111TE85L(XM)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111TE85L.F
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 50V 0.1A SOT-416
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.28 грн
500+5.74 грн
1000+5.08 грн
2000+4.53 грн
5000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV(TL3,T)ToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 22Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
64+4.76 грн
100+3.18 грн
500+2.26 грн
1000+2.01 грн
2000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 50V 0.1A SOT-723
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 50V 0.1A SOT-416
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113/XP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+8.46 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
2000+4.63 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV,L37FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(TE85L)TOSHIBASOT423-XQ
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]