Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of package: tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.50 грн
10+73.61 грн
15+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+153.73 грн
10+75.77 грн
100+57.80 грн
500+47.88 грн
1000+42.14 грн
2000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.11 грн
10+100.34 грн
50+76.15 грн
100+64.12 грн
500+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 517 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+161.34 грн
10+77.27 грн
100+60.60 грн
500+48.08 грн
1000+46.51 грн
2000+46.31 грн
5000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.77 грн
10+95.12 грн
50+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40ST
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40FPSTMTO-220 07+
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NB40ZFPST07+ 220F
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NC40STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400 Volt 9.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NC40
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NC40FP
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK40Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 9 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.74 грн
230+62.11 грн
235+60.77 грн
500+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMN-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 30Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.74 грн
116+124.00 грн
500+99.90 грн
1000+88.86 грн
2000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.44 грн
10+124.17 грн
50+94.82 грн
100+80.11 грн
500+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40Z
на замовлення 588 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.85 грн
50+62.22 грн
100+60.88 грн
500+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 400V; 30V; 550mOhm; 9A; 110W; -55°C ~ 150°C; STP11NK40Z TSTP11NK40Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+184.93 грн
10+94.52 грн
100+58.90 грн
500+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40Z
Код товару: 1022
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 930/32
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 209 шт
  • 112 шт - склад
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.85 грн
50+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+137.74 грн
100+124.00 грн
500+99.90 грн
1000+88.86 грн
2000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40Z-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMN-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 30Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.34 грн
10+84.08 грн
100+80.04 грн
500+70.08 грн
1000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.82 грн
10+143.30 грн
50+109.99 грн
100+93.18 грн
500+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+220.70 грн
10+108.77 грн
100+85.45 грн
500+69.80 грн
1000+63.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTN-MOSFET; 400V; 400V; 30V; 550mOhm; 9A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK40ZFP TSTP11NK40ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+83.92 грн
179+79.89 грн
500+72.55 грн
1000+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK40ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 9 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.35 грн
5+162.94 грн
10+144.74 грн
19+52.11 грн
50+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50(транзистор)
Код товару: 82199
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+299.09 грн
10+166.54 грн
100+118.72 грн
500+98.50 грн
1000+90.02 грн
2000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.30 грн
10+171.21 грн
25+134.82 грн
50+111.66 грн
100+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+186.10 грн
78+184.24 грн
100+169.97 грн
500+136.18 грн
1000+118.83 грн
2000+111.28 грн
5000+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.38 грн
50+129.55 грн
100+117.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50Z TSTP11NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.45 грн
50+184.58 грн
100+170.28 грн
500+136.43 грн
1000+119.06 грн
2000+111.49 грн
5000+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+134.34 грн
100+130.74 грн
500+118.47 грн
1000+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMN-кан. MOSFET 500V 10A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50ZFP TSTP11NK50ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V Zener SuperMESH
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+271.69 грн
10+162.04 грн
100+114.16 грн
500+95.24 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+134.34 грн
110+130.74 грн
500+118.47 грн
1000+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.09 грн
10+159.63 грн
50+121.58 грн
100+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50ZFP TSTP11NK50ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.55 грн
50+91.13 грн
100+86.35 грн
500+71.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+360.73 грн
10+186.04 грн
100+153.95 грн
500+127.85 грн
1000+118.07 грн
2000+117.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 30nC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.95 грн
10+193.54 грн
25+178.66 грн
50+168.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.00 грн
50+172.51 грн
100+157.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ASTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60A
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ASTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60AF
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60AFPSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60AFPST
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60CHINA
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.98 грн
112+128.24 грн
116+123.05 грн
122+113.67 грн
500+102.06 грн
1000+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD
Код товару: 167166
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.03 грн
10+209.26 грн
25+197.68 грн
50+189.41 грн
100+180.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTTranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.65 грн
10+127.04 грн
25+121.89 грн
100+112.61 грн
500+101.10 грн
1000+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.88 грн
10+330.88 грн
50+262.94 грн
100+226.27 грн
500+190.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 512 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+479.46 грн
10+266.31 грн
100+200.26 грн
500+174.17 грн
1000+162.43 грн
2000+159.17 грн
5000+155.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+446.73 грн
10+219.05 грн
500+163.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FP
Код товару: 43806
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FPSTM07+ SMD
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.