Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP11NC40
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NC40STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400 Volt 9.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NC40FP
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40Z
Код товару: 1022
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 930/32
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 191 шт
  • 108 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+135.61 грн
116+122.09 грн
500+98.35 грн
1000+87.49 грн
2000+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40Z
на замовлення 588 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.88 грн
50+61.26 грн
100+59.94 грн
500+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMN-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 30Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.55 грн
50+81.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+135.61 грн
100+122.09 грн
500+98.35 грн
1000+87.49 грн
2000+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.35 грн
50+85.23 грн
100+76.73 грн
500+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+61.77 грн
230+61.15 грн
235+59.83 грн
500+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 400V; 30V; 550mOhm; 9A; 110W; -55°C ~ 150°C; STP11NK40Z TSTP11NK40Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.18 грн
5+107.89 грн
10+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK40Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 9 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40Z-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMN-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 30Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.07 грн
50+109.35 грн
100+98.69 грн
500+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.63 грн
179+78.66 грн
500+71.43 грн
1000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.09 грн
5+152.36 грн
10+129.30 грн
25+100.48 грн
50+84.83 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK40ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 9 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTN-MOSFET; 400V; 400V; 30V; 550mOhm; 9A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK40ZFP TSTP11NK40ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.69 грн
10+82.78 грн
100+78.81 грн
500+69.00 грн
1000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50(транзистор)
Код товару: 82199
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.23 грн
10+170.48 грн
25+134.24 грн
50+111.18 грн
100+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.23 грн
78+181.39 грн
100+167.34 грн
500+134.07 грн
1000+116.99 грн
2000+109.56 грн
5000+105.06 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.56 грн
50+181.73 грн
100+167.65 грн
500+134.33 грн
1000+117.22 грн
2000+109.77 грн
5000+105.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50Z TSTP11NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.25 грн
50+129.00 грн
100+116.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMN-кан. MOSFET 500V 10A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.27 грн
110+128.72 грн
500+116.63 грн
1000+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50ZFP TSTP11NK50ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.98 грн
10+158.95 грн
50+121.07 грн
100+110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V Zener SuperMESH
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+132.27 грн
100+128.72 грн
500+116.63 грн
1000+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NK50ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50ZFP TSTP11NK50ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.01 грн
50+90.74 грн
100+85.98 грн
500+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 30nC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.68 грн
10+214.95 грн
25+187.78 грн
50+170.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.53 грн
50+171.77 грн
100+156.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ASTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60A
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ASTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60AF
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60AFPSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60AFPST
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60CHINA
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD
Код товару: 167166
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.48 грн
10+125.07 грн
25+120.01 грн
100+110.87 грн
500+99.54 грн
1000+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+139.79 грн
112+126.26 грн
116+121.15 грн
122+111.92 грн
500+100.48 грн
1000+93.35 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.03 грн
50+268.06 грн
100+245.80 грн
500+194.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.99 грн
10+224.01 грн
25+208.37 грн
50+197.66 грн
100+186.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDSTTranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+131.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.14 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPST
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FDFPSTMicroelectronicsSTP11NM60FDFP STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FPSTM07+ SMD
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FP
Код товару: 43806
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.63 грн
10+152.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ZFP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+156.51 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+267.12 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]