Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7507TR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBF
Код товару: 45759
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.72 грн
500+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.35 грн
100+84.72 грн
500+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509IRSO-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 2 А,... Транзистори Корпус: MICRO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.16 грн
16+54.17 грн
100+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9,7 нс, td(off)+tf = 19 нс,
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+22.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInternational RectifierMOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 6954 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
5+66.56 грн
10+53.16 грн
100+33.31 грн
500+25.91 грн
1000+23.46 грн
2000+21.51 грн
4000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF
Код товару: 32320
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: Micro-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,11; 0,2 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1PBFInfineon / IRMOSFET 20V FETKY 12 VGS 200 RDS 2.7VmOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 2.4A 35mOhm 5.3nC Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521TRMSOP8
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1TRPBF
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524DIOR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-uSMD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1TRIRMSOP-8
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1IR
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1PBFIOR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFIR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC
на замовлення 11498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRInternational Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=5.4A@t=25C, 4.3A@t=70C, Rds=0.03 R , P=1.3W, -55 to +150C), smd.... Транзистори Корпус: MICRO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRIOR
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.67 грн
206+68.90 грн
286+49.70 грн
289+47.43 грн
500+36.70 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
10+60.14 грн
100+39.89 грн
500+29.26 грн
1000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.50 грн
10+58.46 грн
100+36.24 грн
500+29.61 грн
1000+25.70 грн
2000+22.90 грн
4000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.27 грн
50+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.36 грн
11+69.67 грн
25+68.90 грн
100+47.92 грн
250+43.92 грн
500+35.24 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF
Код товару: 31263
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,4 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.87 грн
352+40.29 грн
371+38.27 грн
500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1TRIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRIRSSOP8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL, 20V, 4.3A, MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7560IR09+
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.35 грн
9+87.28 грн
10+85.96 грн
25+81.60 грн
50+74.38 грн
100+70.27 грн
250+69.13 грн
500+67.99 грн
1000+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon / IRMOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.91 грн
10+223.24 грн
100+156.41 грн
500+128.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.28 грн
165+85.96 грн
168+84.62 грн
171+80.33 грн
173+73.20 грн
250+69.13 грн
500+67.99 грн
1000+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.24 грн
437+32.50 грн
441+32.18 грн
500+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]