Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7601TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7601TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.035 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 5.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.8 Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7601TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7601TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 8 | на замовлення 7877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7601TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7601TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7601TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7601TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.035 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 1.8 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7601TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7601TRPBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7603 | IR | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7603 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7603 Код товару: 112948
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7603 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7603TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7603TR | IOR | 2003 | на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7603TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7604 | IR | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7604 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7604TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7604TR(94-3269) | на замовлення 42500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7604TRPB | IR | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7604TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7604TRPBF | IOR | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7606 | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7606 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7606TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7606TRHR | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R | на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2931 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7606TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8 | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7606TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7606TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7606TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7606TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7606TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R | на замовлення 13133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7606TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607 | IR | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607TR | IOR | 2001 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607TRPBF | International Rectifier | MOSFET Micro8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 331 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607TRPBF | Infineon Technologies | IRF7607TRPBF | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7607TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7607TRPBF | Infineon Technologies | IRF7607TRPBF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7607TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7611ATR | IOR | 00+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7620 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7626 | IR | на замовлення 7850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7626 м/с Код товару: 94344
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7663 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7663 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7663 | IR | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7663TR | IR | 01+ SOP | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7663TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7663TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7663TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro8™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7663TRPBF | International Rectifier | MICRO8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7665S2TR1PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7665S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET SB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7665S2TR1PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 14.7A 60mOhm 8.3nC Qg | на замовлення 869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7665S2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET SB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7665S2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V DIGITAL AUDIO 1 N-CH HEXFET | на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700 | IR | 07+ TSSOP-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700TRPBF | Infineon | MOSFET MOSFT PCh -20V A mOhm 59nC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7700TRPBF | IOR | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7700TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -20V A mOhm 59nC | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7700TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701 | IR | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7701TR | IOR | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7701TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702TR | IOR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7702TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7702TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 62000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7703TRPBF | на замовлення 5120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

