Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7524D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1IR
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1PBFIOR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFIR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC
на замовлення 11498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRInternational Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=5.4A@t=25C, 4.3A@t=70C, Rds=0.03 R , P=1.3W, -55 to +150C), smd.... Транзистори Корпус: MICRO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRIOR
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.36 грн
206+68.59 грн
286+49.48 грн
289+47.22 грн
500+36.54 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.96 грн
11+69.36 грн
25+68.59 грн
100+47.71 грн
250+43.72 грн
500+35.08 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.54 грн
10+59.87 грн
100+39.71 грн
500+29.13 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.62 грн
352+40.11 грн
371+38.10 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF
Код товару: 31263
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 5,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1310/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1TRIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7534D1TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRIRSSOP8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL, 20V, 4.3A, MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7555TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7560IR09+
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.90 грн
9+86.89 грн
10+85.58 грн
25+81.24 грн
50+74.05 грн
100+69.96 грн
250+68.83 грн
500+67.69 грн
1000+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon / IRMOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7580MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.89 грн
165+85.58 грн
168+84.25 грн
171+79.97 грн
173+72.87 грн
250+68.83 грн
500+67.69 грн
1000+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.08 грн
437+32.35 грн
441+32.03 грн
500+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7601TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.035 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineonMOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.70 грн
21+36.29 грн
25+36.08 грн
100+31.20 грн
250+28.60 грн
500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 8
на замовлення 7877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7601TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.035 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; 1.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 1.8W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBF/IRIR08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7603Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7603International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7603
Код товару: 112948
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7603IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7603TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7603TRIOR2003
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7603TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7604IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7604Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7604TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7604TR(94-3269)
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7604TRPBIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7604TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7604TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRHRInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2931 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 13133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.34 грн
326+43.37 грн
371+38.10 грн
500+35.20 грн
1000+30.74 грн
2000+27.98 грн
4000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607TRIOR2001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607TRPBFInfineon TechnologiesIRF7607TRPBF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607TRPBFInternational RectifierMOSFET Micro8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]