Продукція > FFS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FFSH4065AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 40A SIC SBD
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+785.26 грн
10+704.18 грн
25+610.26 грн
50+609.57 грн
100+546.75 грн
250+537.78 грн
450+495.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+818.61 грн
100+777.26 грн
500+737.10 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON Semiconductor
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+818.61 грн
100+777.26 грн
500+737.10 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1171.94 грн
30+700.55 грн
120+613.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155onsemiSiC Schottky Diodes 650V 40A SIC SBD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+814.26 грн
10+563.66 грн
120+390.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 44A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 44A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+729.33 грн
3+620.73 грн
10+565.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155ON Semiconductor
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155onsemiDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.06 грн
10+527.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDNonsemiDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.89 грн
10+503.99 грн
450+348.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDNonsemiSiC Schottky Diodes 650V 40A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.07 грн
10+537.46 грн
100+369.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+829.24 грн
100+787.89 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON Semiconductor
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.18 грн
10+505.71 грн
120+412.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.36 грн
30+516.98 грн
120+443.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 252nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1542.34 грн
5+1378.84 грн
10+1214.54 грн
50+1071.70 грн
100+940.24 грн
250+890.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1348.73 грн
120+1288.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1561.81 грн
30+923.87 грн
120+888.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1597.05 грн
100+1516.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON Semiconductor
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1345.42 грн
120+1285.78 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 77A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 77A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1657.51 грн
10+1036.03 грн
120+886.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AON Semiconductor
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 50A SIC SBD
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.38 грн
10+606.53 грн
120+481.86 грн
510+470.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH5065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 50 A, 147 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 147nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.77 грн
5+836.00 грн
10+632.24 грн
50+577.36 грн
100+523.97 грн
250+514.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.36 грн
30+564.32 грн
120+484.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+991.07 грн
100+941.46 грн
500+891.84 грн
1000+812.15 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155onsemiSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODE TO247 650V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.05 грн
10+812.15 грн
25+659.28 грн
50+650.99 грн
100+608.19 грн
250+600.60 грн
450+560.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+991.07 грн
100+941.46 грн
500+891.84 грн
1000+812.15 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.75 грн
10+847.19 грн
100+732.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+991.07 грн
100+941.46 грн
500+891.84 грн
1000+812.15 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON Semiconductor
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON SemiconductorDescription: SIC DIODE 650V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 50A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH5065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 50 A, 120 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1310.38 грн
5+1061.51 грн
10+812.65 грн
50+753.85 грн
100+694.48 грн
250+693.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON Semiconductor
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1273.33 грн
10+778.01 грн
120+668.94 грн
510+632.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 50A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F155onsemiSiC Schottky Diodes 650V 50A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.00 грн
10+570.81 грн
120+363.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F155ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2; Ir: 500nA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward impulse current: 1358A
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 48A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2030pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.83 грн
10+531.14 грн
450+344.32 грн
900+317.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AON Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PQFN8x8; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: PQFN8x8
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 4A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AON SemiconductorDescription: SIC DIODE 650V 4A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.47 грн
10+179.64 грн
100+126.24 грн
500+98.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AonsemiSiC Schottky Diodes SiC Diode 650V 4A
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.00 грн
10+192.92 грн
100+118.05 грн
500+95.27 грн
1000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.18 грн
6000+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.59 грн
10+175.45 грн
100+117.36 грн
500+104.24 грн
1000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665AON Semiconductor
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
10+196.02 грн
100+138.46 грн
500+110.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 6A PQFM88
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.07 грн
10+140.52 грн
100+93.20 грн
500+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
500+86.00 грн
1500+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.58 грн
50+116.78 грн
100+93.43 грн
500+86.00 грн
1500+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 203970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.31 грн
10+142.17 грн
100+112.37 грн
500+88.74 грн
1000+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.72 грн
10+276.41 грн
100+223.67 грн
500+186.58 грн
1000+159.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AON Semiconductor
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+166.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.60 грн
10+295.33 грн
100+207.79 грн
250+196.75 грн
500+185.01 грн
1000+158.78 грн
3000+149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.57 грн
10+172.68 грн
100+139.72 грн
500+116.55 грн
1000+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 8A PQFM88
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+153.22 грн
100+93.20 грн
500+83.53 грн
1000+75.94 грн
3000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.40 грн
10+132.89 грн
100+93.43 грн
500+77.78 грн
1000+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+77.78 грн
1000+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AON Semiconductor
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SBD 650V 4PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.33 грн
10+244.55 грн
100+174.99 грн
500+146.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SBD 650V 4PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.28 грн
10+262.78 грн
100+153.95 грн
500+144.28 грн
3000+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BON Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiDescription: SILICON CARBIDE DIODE 650V 10A P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 10A PQFM88
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.73 грн
10+155.60 грн
100+115.98 грн
500+108.38 грн
1000+99.41 грн
3000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiDescription: SILICON CARBIDE DIODE 650V 10A P
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.83 грн
10+298.47 грн
100+244.58 грн
500+195.39 грн
1000+164.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.95 грн
10+334.52 грн
100+270.62 грн
500+225.75 грн
1000+193.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.10 грн
10+202.44 грн
100+138.07 грн
500+118.74 грн
1000+111.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.55 грн
10+224.71 грн
100+165.11 грн
500+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.96 грн
10+208.13 грн
100+147.53 грн
500+119.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.11 грн
500+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.67 грн
10+283.89 грн
100+205.26 грн
500+165.10 грн
1000+160.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065BONN
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]