Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7704IRTSSOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7704GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7704GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7704TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7704TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7704TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705IRTSSOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705GTRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705TR
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705TRPBFInternational RectifierSO8-118-0.65 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -8A 18mOhm 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706IRTSSOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7706TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7707Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7707IRTSSOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7707GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7707TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7707TR
на замовлення 12672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7707TRPBFIOR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7710IR07+ TSSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7715IR07+ TSSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726IRSO-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRIR
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBF
Код товару: 60841
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.99 грн
25+47.82 грн
100+38.41 грн
250+31.71 грн
500+26.74 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7737L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7738L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7471 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.78 грн
10+252.89 грн
100+181.80 грн
500+167.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V N-Ch 270A 1.0 mOhm 220nC
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.40 грн
10+286.68 грн
100+178.76 грн
500+164.09 грн
1000+152.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TR1PBFInfineon / IRMOSFET 40V 270A 1.0mOhm 220nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1mOhm 220nC
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.80 грн
41+352.01 грн
53+268.14 грн
200+242.62 грн
500+197.23 грн
1000+185.29 грн
2000+178.20 грн
4000+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+140.70 грн
1000+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon / IRMOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.98 грн
134+106.01 грн
250+101.76 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 28A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 3.3W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.36 грн
10+196.33 грн
100+160.49 грн
500+140.70 грн
1000+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBF
Код товару: 130779
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.45 грн
100+213.96 грн
250+197.69 грн
500+189.30 грн
1000+188.89 грн
3000+188.41 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet
на замовлення 40120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.33 грн
10+272.22 грн
100+174.57 грн
500+159.91 грн
1000+152.22 грн
4000+148.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.49 грн
10+222.93 грн
25+222.45 грн
100+213.96 грн
250+197.69 грн
500+189.30 грн
1000+188.89 грн
3000+188.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+144.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+256.33 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+256.33 грн
500+242.16 грн
1000+229.16 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.74 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.33 грн
500+198.95 грн
1000+182.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+208.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+256.33 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 42690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+256.33 грн
500+242.16 грн
1000+229.16 грн
10000+207.31 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 5424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.08 грн
100+217.35 грн
500+197.74 грн
1000+164.53 грн
4000+149.04 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.70 грн
10+294.91 грн
100+218.33 грн
500+198.95 грн
1000+182.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
на замовлення 10231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.35 грн
10+260.45 грн
100+187.01 грн
500+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 15532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+256.33 грн
500+242.16 грн
1000+229.16 грн
10000+207.31 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+206.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBF
Код товару: 168900
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+483.27 грн
10+409.00 грн
25+358.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750IRTSSOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]