Продукція > FFS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FFSH40120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1085.17 грн
2+449.01 грн
30+448.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1085.74 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F155onsemiDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1331.70 грн
30+805.28 грн
120+722.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+1384.88 грн
100+1315.35 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F155On SemiconductorDiode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 1.2 V 20A Through Hole TO-247-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1182.78 грн
30+707.03 грн
120+619.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+816.79 грн
100+775.54 грн
500+735.46 грн
1000+669.42 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+816.79 грн
100+775.54 грн
500+735.46 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.20 грн
30+502.91 грн
120+431.20 грн
510+402.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON Semiconductor
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+816.79 грн
100+775.54 грн
500+735.46 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 40A SIC SBD
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 119nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+816.79 грн
100+775.54 грн
500+735.46 грн
1000+669.42 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155ON Semiconductor
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155onsemiSiC Schottky Diodes 650V 40A SIC SBD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155onsemiDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.36 грн
10+532.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDNonsemiDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.87 грн
10+508.65 грн
450+351.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDNonsemiSiC Schottky Diodes 650V 40A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON Semiconductor
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+827.39 грн
100+786.14 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.55 грн
30+521.76 грн
120+447.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1593.50 грн
100+1513.35 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 252nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON Semiconductor
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1576.25 грн
30+932.41 грн
120+896.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1342.44 грн
120+1282.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1345.74 грн
120+1286.08 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 77A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 77A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.28 грн
30+569.54 грн
120+488.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 50A SIC SBD
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH5065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 50 A, 147 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 147nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065AON Semiconductor
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+988.87 грн
100+939.36 грн
500+889.86 грн
1000+810.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155onsemiSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODE TO247 650V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+988.87 грн
100+939.36 грн
500+889.86 грн
1000+810.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON Semiconductor
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1007.99 грн
10+855.02 грн
100+739.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+988.87 грн
100+939.36 грн
500+889.86 грн
1000+810.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A-F155ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON Semiconductor
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON SemiconductorDescription: SIC DIODE 650V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH5065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 50 A, 120 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 50A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 50A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F155onsemiSiC Schottky Diodes 650V 50A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F155ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2; Ir: 500nA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward impulse current: 1358A
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 48A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2030pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.19 грн
10+536.05 грн
450+347.50 грн
900+320.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PQFN8x8; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: PQFN8x8
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AON Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AonsemiSiC Schottky Diodes SiC Diode 650V 4A
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.71 грн
10+186.51 грн
50+144.59 грн
100+123.01 грн
500+102.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.96 грн
10+197.83 грн
100+139.74 грн
500+111.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665AON Semiconductor
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0665B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 6A, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 203970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
10+143.48 грн
100+113.41 грн
500+89.56 грн
1000+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 6A PQFM88
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.88 грн
10+278.97 грн
100+225.73 грн
500+188.30 грн
1000+161.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AON Semiconductor
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+168.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 8A PQFM88
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+174.28 грн
100+141.01 грн
500+117.63 грн
1000+100.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AON Semiconductor
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.85 грн
10+246.81 грн
100+176.60 грн
500+147.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SBD 650V 4PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SBD 650V 4PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiDescription: SILICON CARBIDE DIODE 650V 10A P
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.01 грн
10+301.23 грн
100+246.84 грн
500+197.20 грн
1000+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BON Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiDescription: SILICON CARBIDE DIODE 650V 10A P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 10A PQFM88
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PQFN8x8; SiC; SMD; 650V; 13.5A
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 13.5A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: PQFN8x8
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79  [ Наступна Сторінка >> ]