Продукція > DS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1230AB-120+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-120+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120IND | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Maxim | MOD/E/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 256Kbit MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 120ns Zugriffszeit für Lesen: 120ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-150 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 150 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-150+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230AB-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIP Bauform - Speicherbaustein: EDIP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 150 Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 28 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 70 Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-150+ | Maxim | RAM NV 256K-5% VTP-150NS DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-150IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-150IND+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200 | Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM | на замовлення 3633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200+ | Maxim | 256k Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230AB-200+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP Bauform - Speicherbaustein: EDIP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 200 Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 28 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 70 Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-200IND+ | Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200IND+ | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-200IND+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-70+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-70+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-70+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-70IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70IND+ | Maxim | MOD/E/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-70IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-70IND+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-85 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-85 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-85+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-85+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Bulk Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-85+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230AB-85+ - NVRAM IC MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB-85+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Part Status: Active | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230AB-85+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AB120 | DALLAS | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DS1230AB200 | DS | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DS1230ABP-100 | DALLAS | 2001 | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Tube Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230ABP-100+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230ABP-100+ - NVRAM IC MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Active Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230ABP-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 34-Pin PowerCap Module Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-100+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-100IND+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-120+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-120IND+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-150+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-150IND+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-200+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-200IND+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70 | Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Tube Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 34-Pin PowerCap Module Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Active Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1230ABP-70+ | Maxim | PWRCP/CIVIL/256K NONVOLATILE SRAM DS1230PWRCP кількість в упаковці: 40 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230ABP-70+ - NVRAM IC MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70IND+ | DALLAS | 2010+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230ABP-70IND+ | Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-100 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-100IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-120 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-120IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-150 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-150IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-200 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-200IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-70 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230AD-70IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230W-100 | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230W-100 | DALLAS | 06+ SOP | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

