Продукція > DS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1220AD-200 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 16k Nonvolatile SRAM | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1220AD-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200+ | Maxim | 16K Nonvolatile SRAM DS1220 кількість в упаковці: 14 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200IND | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ | Maxim | MOD 24/I°/16K NONVOLATILE SRAM DS1220MOD кількість в упаковці: 14 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ Код товару: 165081
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Джерел живлення | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 16k Nonvolatile SRAM | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Speichergröße: 16Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM | на замовлення 1548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-70 | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD-70IND | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220AD200 | DALLAS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1220DY | 87+ | на замовлення 319 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1220Y-100 | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-100+ | Maxim Integrated | SRAM DS1220Y-100+ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-100+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 1448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-100IND | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-100IND+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-120 | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-120+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-120+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Supplier Device Package: 24-DIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-120+ Код товару: 105931
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DS1220Y-120IND | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-150 | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 150 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-150+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-150IND | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-200 | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-200+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-200IND | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-200IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-70 | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y-70IND | DALLAS | DIP-24 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y/-100-120-150 | DALLAS | 09+ DIP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1220Y100 | DALLAS | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1220Y150 | DALLAS | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1221 | DALLAS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1221 | Maxim Integrated | Description: IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-DIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 73 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1221S | Maxim Integrated | Description: IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 61 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1221S | DALLAS | 09+ SOP16 | на замовлення 1075 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1221SN | Maxim Integrated | Description: IC CTRLR/DECODER 4BIT IN 16-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1222 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC BANKSWITCH CMOS 14-DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Controller Type: Static RAM (SRAM) Supplier Device Package: 14-PDIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1222 | DALLAS | 09+ SOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1222+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC BANKSWITCH CMOS 14-DIP Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube Supplier Device Package: 14-PDIP Controller Type: Static RAM (SRAM) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS12221S | . | 09+ . | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1222N | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC BANKSWITCH CMOS IND 14-DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Controller Type: Static RAM (SRAM) Supplier Device Package: 14-PDIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1222S | Rochester Electronics, LLC | Description: DS1222 | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1222S | DALLAS | 09+ SOP16 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1222S+ | Maxim Integrated | Description: IC BANKSWITCH CMOS 16-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225 | DAL | DIP | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-100 | DALLAS | DIP | на замовлення 2020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-100IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-120 | DALLAS | 09+ DIP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-120IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150 | DALLAS | DIP | на замовлення 2587 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225AB-150+ - NVRAM MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150+ | Maxim | 64K Nonvolatile SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225AB-150IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225AB-150IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150IND+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-150IND+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 64Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-150IND+ | Maxim | 64k Nonvolatile SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-170+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-170+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225AB-170+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 170 ns, EDIP Bauform - Speicherbaustein: EDIP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 170 Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Speichergröße: 64 Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 70 Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-170+ | Maxim | MOD/CIVIL/64K NONVOLATILE SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-170+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-170+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 170ns Memory Interface: Parallel Access Time: 170 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225AB-200 | DALLAS | 09+ DIP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200 | Maxim Integrated | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 64Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200+ | Maxim | 64K Nonvolatile SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225AB-200IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225AB-200IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225AB-200IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225AB-200IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200IND+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225AB-200IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 200ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28 Bauform - Speicherbaustein: EDIP IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Speicherorganisation: 8K x 8 Bit Speichergröße: 64 Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Zugriffszeit für Schreiben: 200 Zugriffszeit für Lesen: 200 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225AB-200IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. |

