Продукція > BD1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BD13716onsemi NPN/1.5A/60V TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.09 грн
23+33.03 грн
100+24.41 грн
500+18.30 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716Sonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716SonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716SonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716SONSEMIDescription: ONSEMI - BD13716S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 1.25
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
11+41.18 грн
25+35.64 грн
60+31.28 грн
120+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.89 грн
60+46.21 грн
120+36.63 грн
540+33.69 грн
1020+26.12 грн
2040+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.88 грн
307+46.20 грн
387+36.62 грн
540+33.68 грн
1020+26.11 грн
2040+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 6013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
60+36.44 грн
120+32.40 грн
540+24.09 грн
1020+22.05 грн
2040+20.17 грн
5040+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1376SonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1376S
на замовлення 8020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD1376STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GonsemiBipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.75 грн
25+30.72 грн
100+27.69 грн
500+23.82 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GONSEMIDescription: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+49.75 грн
1000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.83 грн
100+32.10 грн
500+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
13+33.55 грн
100+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G біполярний транзистор NPN
Код товару: 148260
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 1,5 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD138onsemiBipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.41 грн
43+17.84 грн
100+15.72 грн
500+11.20 грн
1000+9.24 грн
2000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138CDILТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
13+32.71 грн
15+28.35 грн
50+20.97 грн
100+18.53 грн
500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD138 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
793+17.84 грн
900+15.72 грн
1218+11.62 грн
1367+9.98 грн
2000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 12641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
50+53.82 грн
100+47.97 грн
500+35.42 грн
1000+32.33 грн
2000+29.73 грн
5000+26.48 грн
10000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138CDILPNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD138 TBD138
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Case: TO126
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138
Код товару: 19309
Додати до обраних Обраний товар
NXPТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, МГц: 160 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 1,5 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 250
у наявності: 339 шт
  • 281 шт - склад
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
4+5.00 грн
10+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 58931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.50 грн
23+33.02 грн
100+29.08 грн
500+20.01 грн
1000+16.51 грн
2000+15.38 грн
4000+13.65 грн
10000+12.58 грн
24000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - BD138 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 58881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.08 грн
486+29.14 грн
680+20.80 грн
1000+17.87 грн
2000+16.05 грн
4000+13.68 грн
10000+12.61 грн
24000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138NXPPNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD138 TBD138
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD138onsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138 (CDIL)
Код товару: 177830
Додати до обраних Обраний товар
CDILТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 1,5 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 250
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+4.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-10MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD138-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-10-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-16CDILTranzystor PNP; 250; 1,25W; 60V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD138-16-CDI; BD13816STU; BD138.16; TBD138.16; BD138-16 CDIL TBD13816cd
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-16
Код товару: 19210
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-16LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.93 грн
35+12.33 грн
57+7.48 грн
100+6.64 грн
500+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-16MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD138-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-16-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-16STUONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-6-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138-KSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP SILICON TRANSISTORS, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810SonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STUONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
25+25.24 грн
120+22.31 грн
480+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
894+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD13810STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
60+31.11 грн
120+27.57 грн
540+20.33 грн
1020+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13816onsemiArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13816SonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13816STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD13816STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13816STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.82 грн
27+28.22 грн
100+23.92 грн
500+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13816STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1386SonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1386STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
632+56.02 грн
1000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
632+56.02 грн
1000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON Semiconductor
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.40 грн
100+45.01 грн
500+33.22 грн
1000+30.32 грн
2000+27.88 грн
5000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
632+56.02 грн
1000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GONSEMIDescription: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD138GonsemiBipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 17046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
50+56.64 грн
100+50.51 грн
500+37.28 грн
1000+34.03 грн
2000+31.29 грн
5000+27.86 грн
10000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STNPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139JCETNPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
94+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139
Код товару: 191983
5 Додати до обраних Обраний товар
CJТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 190 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 1,5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 376 шт
  • 263 шт - склад
  • 108 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139HT SEMITranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TO126 HT SEMI TBD13916 HTSEMI
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMNPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, SOT-32 (компл. BD140) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139BD139 Транзисторы
на замовлення 994 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.55 грн
15+29.35 грн
17+25.24 грн
50+17.78 грн
100+15.43 грн
500+11.49 грн
1000+10.23 грн
2000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139CDILNPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STNPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139onsemiBipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]