Продукція > BFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP640 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640 | INFINEON | SOT-343 05+ | на замовлення 14251 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640 H6327 | Infineon | на замовлення 2884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BFP640BOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Development Tools Low noise wideband NPN bipolar RF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640E Код товару: 114709
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BFP640E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ PGSOT343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 26583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640E6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP640E6327 - BFP640 RF SMALL SIGNAL BIPOLARTRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 26583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640E6327XT Код товару: 32321
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > ВЧ | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BFP640ESD | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327 | Infineon technologies | на замовлення 755 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 Код товару: 204585
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 188000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 188593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640F | INFINEON | SOT-543 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327 | Infineon technologies | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 110 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - HF-Transistor: TSFP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.1 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50 Übergangsfrequenz: 46 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 68074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327 | Infineon | TRANS RF NPN 4.5V 50MA TSFP-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 4446000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 693000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP | на замовлення 5144870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Current gain: 110 Mounting: SMD Frequency: 40GHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640H6327 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327 | Infineon | TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.1V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110...270 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz | на замовлення 2504 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon | RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650 | INFINEON | SOT343 05+ | на замовлення 6580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650(транзистор) Код товару: 55576
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BFP650E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650F | INFINEON | 08+ QFN | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327 | Infineon | BFP650FH6327XTSA1 RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ TSFP-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Case: TSFP-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz | на замовлення 2471 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 12977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP67-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP67-GS08 | Vishay | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

