Продукція > BFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 11681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP5A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories 5" NOM 3000 FLANGE PROTECTOR:LDPE BLUE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620 | INFINEON | SOT-343 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620 E6327 | INFINEON | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP620E7764 | INF | 07+; | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620E7764 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP620E7764 - BFP620 ULTRA LOW-NOISE SIGEC TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620E7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620E7764BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620E7764BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT-343 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 65GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 185mW Gain: 21.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620F | на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP620F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FE6327 | на замовлення 3150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP620FE7764SOT543-R2PB-FREE | INFINEON | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP620FH7764 | Infineon technologies | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 185mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 900000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 900000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP620L7764 | на замовлення 1193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP620`E6327 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP620ЎЎE6327 | на замовлення 2933 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP640 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640 | INFINEON | SOT-343 05+ | на замовлення 14251 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640 H6327 | Infineon | на замовлення 2884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP640BOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Development Tools Low noise wideband NPN bipolar RF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640E Код товару: 114709
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP640E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ PGSOT343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 26583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640E6327 | infineon | 0239+ | на замовлення 1710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640E6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP640E6327 - BFP640 RF SMALL SIGNAL BIPOLARTRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 26583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 40GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 200mW Gain: 24dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640E6327XT Код товару: 32321
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > ВЧ | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP640ESD | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327 | Infineon technologies | на замовлення 755 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 175 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 124320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 Код товару: 204585
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640F | INFINEON | SOT-543 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 40GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 200mW Gain: 23dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 40GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 200mW Gain: 23dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327 | Infineon technologies | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 110 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - HF-Transistor: TSFP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.1 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50 Übergangsfrequenz: 46 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 68074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP Part Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Frequency - Transition: 46GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 200mW Gain: 8B ~ 30.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327 | Infineon | TRANS RF NPN 4.5V 50MA TSFP-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Part Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 40GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 200mW Gain: 23dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 693000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Current gain: 110 Mounting: SMD Frequency: 40GHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 4500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327 | Infineon | TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640H6327 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327 | Infineon technologies | на замовлення 2590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

