Продукція > BSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSM30GD60DLCE3224EUPECMODULE
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GD60DN2EUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GP60Infineon TechnologiesIGBT Modules 600V 30A PIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GP60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GP60 силовий модуль
Код товару: 197102
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GP60B2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 50A 180W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GP60B2BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM30GP60B2BOSA1 - BSM30GP60 - IGBT LOW POWER ECONO
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GP60BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 50A 180W
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 nA
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM30GP60BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM3325Global IndustrialDescription: 3X3X25" SQUARE MAILING TUBES, EC
Part Status: Active
Type: Square Mailing Tube
Size / Dimension: 3" x 3" x 25"
Color: White
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM333Global IndustrialDescription: 3X3X3" CORRUGATED MAILERS, ECT-3
Part Status: Active
Type: Corrugated Mailer
Size / Dimension: 3" x 3" x 3"
Color: White
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM3330Global IndustrialDescription: 3X3X30" SQUARE MAILING TUBES, EC
Part Status: Active
Type: Square Mailing Tube
Size / Dimension: 3" x 3" x 30"
Color: White
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM3337Global IndustrialDescription: 3X3X37" SQUARE MAILING TUBES, EC
Part Status: Active
Type: Square Mailing Tube
Size / Dimension: 3" x 3" x 37"
Color: White
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35DD120DN2EUPECMODULE
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GB120DLCEUPECMODULE
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GB120DN2module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GB120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 35A DUAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GB120DN2
Код товару: 36925
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > IGBT
Напруга колектор-емітер Vces, V: 1200 V
Напруга насичення Vce, V: 3,2 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 50 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GB120DN2(DLC)SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GB120DN2HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GB120DN2HOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM35GB120DN2HOSA1 - BSM35GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD100DEUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120EUPECMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120D2SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCEUPECMODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCE3224EUPECMODULE
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCE3224Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCE3224BOSA1Infineon TechnologiesHigh Reliability IGBT Modules IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCE3224BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 70A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCE3224BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM35GD120DLCE3224BOSA1 - BSM35GD120DLC - LOW POWER ECONO
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCE3224BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: AG-ECONO2A
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DLCE3224BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 35A 3-PHASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2
Код товару: 171518
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2(DLC)SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-ECONOPACK 2K
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2EEUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3224module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3224Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 17-Pin ECONO2-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2E3226
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP-120EUPECMODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 35A PIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120InfineonIGBT Modules 1200V 35A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120
Код товару: 35732
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120(120G)SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 230W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT-Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-211
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 230 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 17.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120GEUPECMODULE
на замовлення 5564 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120GInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 35A PIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120G
Код товару: 36965
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120GBOSA1Infineon TechnologiesLOW POWER ECONO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP120GBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 230W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP12Omodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP160EUPECMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GP60EUPECMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM3650Brady CorporationDescription: BSM3650 MATTE, 92CM X 15,25M 1/K
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400C12P3G202ROHMDescription: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+57160.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400C12P3G202Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA
Power Dissipation (Max): 1570W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75696.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400C12P3G202ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P2G003ROHMDescription: ROHM - BSM400D12P2G003 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+179313.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P2G003Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2450W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+177274.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P2G003ROHM SemiconductorMOSFET Modules SIC Pwr Module Half Bridge
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P3G002ROHM SemiconductorMOSFET Modules 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P3G002ROHMDescription: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+97866.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P3G002Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1570W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 109.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+83600.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DLEUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DLCmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DLCInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 400A SINGLE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 625A 2500W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 625 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DLCSEUPECMODULE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DLEEUPEC400A/1200V/IGBT/1U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN11SIEMENS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2EupecСилові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2
Код товару: 73813
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 400A SINGLE
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2(6)EUPECSZ
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2(DLC)SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2E3256
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2FEUPECMODULE
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2FSE32HOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM400GA120DN2FSE32HOSA1 - BSM400GA120DN IGBT MOD 1.2KV 550A 2.7KW
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23367.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 550A 2700W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2SEUPECMODULE
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2SE3256SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA120DN2SE325HOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM400GA120DN2SE325HOSA1 - BSM400GA120DN IGBT MOD 1.2KV 550A 2.7KW
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24174.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA170EUPECMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA170DLEUPECSZ
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA170DLCEUPEC
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA170DLCInfineon TechnologiesIGBT Modules 1700V 400A SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA170DLCEupecIGBT-модуль Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]