Продукція > PDT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PDTA123EM,315NexperiaDigital Transistors SOT883 50V .1A PNP RET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EM,315NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5629+6.28 грн
10000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 5629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 39871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13762+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 13762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 139871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11225+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 11225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315NXPDescription: NXP - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 139871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315NexperiaDigital Transistors PDTA123EMB/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13762+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 13762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 79970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11225+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 11225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EMB,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 139871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ES,126NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETNXPTranzystor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA123ET.215; PDTA123ET,215; PDTA123ET smd TPDTA123et
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET T/RNXP SemiconductorsDigital Transistors TRANS RET TAPE-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NXPSOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NexperiaDigital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7110+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 7110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1506000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
100000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET-QRNexperia USA Inc.Description: PDTA123ET-Q/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET-QRNexperia USA Inc.Description: PDTA123ET-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET.215NXPCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET.215 транзистор
Код товару: 59701
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.00 грн
20000+3.55 грн
30000+2.55 грн
40000+2.02 грн
50000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
48+6.34 грн
100+3.91 грн
500+2.66 грн
1000+2.33 грн
2000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNexperiaDigital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 692275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
100000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ETVLNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EUPHILIPS2004
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 16130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 16130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NexperiaDigital Transistors PDTA123EU/SOT323/SC-70
на замовлення 9654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 16130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+6.94 грн
100+4.28 грн
500+2.92 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
91+4.61 грн
110+3.82 грн
136+3.10 грн
250+2.43 грн
500+2.00 грн
1000+1.85 грн
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 275457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 16130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU-QXNexperia USA Inc.Description: PDTA123EU-Q/SOT323/SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU-QXNexperia USA Inc.Description: PDTA123EU-Q/SOT323/SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123EU-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JEPHILIPS08+ SOT-523
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JE(27)
на замовлення 542880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JE,115NXPDescription: NXP - PDTA123JE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 169948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JE,115NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 16130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JE,115NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JE,115NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
на замовлення 143060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 16130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JEF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JEF(27)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JKPHILIPS2004
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JK,115NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3; MPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JM,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JM,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5629+6.28 грн
10000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 5629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JM,315NexperiaDigital Transistors PDTA123JM/SOT883/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JM,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JM,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JM,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JM-QYLNexperia USA Inc.Description: PDTA123JM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13762+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 13762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315NexperiaDigital Transistors PDTA123JMB/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13762+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 13762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123JMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11225+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 11225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13762+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 13762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315NXPDescription: NXP - PDTA123JMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11225+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 11225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQA147NXPDescription: NXP - PDTA123JQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQA147NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9489+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 9489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQAZNXPDescription: NXP - PDTA123JQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQAZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQAZNXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+6.44 грн
10000+5.74 грн
100000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 5495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123JQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQAZNexperiaDigital Transistors PDTA123JQA/SOT1215/DFN1010D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQAZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14151+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 14151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQAZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11585+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.41 грн
122+6.22 грн
123+6.17 грн
124+5.88 грн
202+3.34 грн
250+3.18 грн
500+2.30 грн
1000+1.72 грн
3000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.42 грн
100+6.48 грн
500+4.45 грн
1000+3.93 грн
2000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZNexperiaDigital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.32 грн
10000+2.88 грн
15000+2.71 грн
25000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3779+3.74 грн
3817+3.71 грн
5264+2.69 грн
7043+1.94 грн
8288+1.52 грн
9434+1.29 грн
15000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQBZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA123JQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: DFN1110D
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQBZNexperiaPDTA123JQBZ
на замовлення 19969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.