Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA123ET,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123ET.215 | NXP | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 180MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123ET.215 транзистор Код товару: 59701
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A PNP RE T | на замовлення 12894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 692275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123EU | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A PNP R ET | на замовлення 9654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 275457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 93871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 2.2kΩ Base resistor: 2.2kΩ Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SC70; SOT323 Type of transistor: PNP Mounting: SMD | на замовлення 3262 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JE | PHILIPS | 08+ SOT-523 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JE(27) | на замовлення 542880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PDTA123JE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123JE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 169948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 143060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JEF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PDTA123JEF(27) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PDTA123JK | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123JM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123JMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQA147 | NXP | Description: NXP - PDTA123JQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 280 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | NXP | Description: NXP - PDTA123JQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQA/SOT1215/DFN1010D-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 280 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 340 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 340 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Collector Cutoff (Max): 100nA | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 340 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: DFN1110D Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 340 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: DFN1110D Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQBZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JQBZ | Nexperia | PDTA123JQBZ | на замовлення 19969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 360 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1412D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQC-Q/SOT8009/DFN1412D- | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 360 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1412D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JQCZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQC/SOT8009/DFN1412D-3 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JT | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 56294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 180MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

