Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6018VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
50+136.47 грн
100+123.85 грн
500+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.75 грн
10+179.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+388.63 грн
42+340.20 грн
77+184.28 грн
100+174.28 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.25 грн
10+157.98 грн
100+122.88 грн
500+102.17 грн
1000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+284.31 грн
250+212.08 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R602-10-4
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PHILIPS04+
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7688.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020-NISTREED InstrumentsDescription: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29046.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1CRQEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-3CREatonFuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE STANDARD 400V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STANDARD 400V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANJTLROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+260.64 грн
57+250.71 грн
100+242.20 грн
250+226.46 грн
500+203.98 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANX
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZ
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZ8U7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+394.67 грн
38+377.71 грн
50+363.32 грн
100+338.46 грн
250+303.88 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8ROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.23 грн
59+243.58 грн
100+235.31 грн
250+220.03 грн
500+198.19 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL
Код товару: 216320
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.77 грн
200+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.58 грн
2000+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+165.13 грн
100+103.55 грн
500+91.12 грн
1000+78.01 грн
2000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.63 грн
64+223.96 грн
100+221.13 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.22 грн
10+192.49 грн
50+174.77 грн
200+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
10+156.83 грн
100+109.88 грн
500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXROHMDescription: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.14 грн
10+203.77 грн
100+145.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+188.54 грн
100+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+200.06 грн
100+124.26 грн
500+115.98 грн
1000+114.60 грн
2500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.01 грн
10+224.67 грн
100+178.80 грн
500+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.61 грн
72+199.40 грн
100+167.26 грн
500+152.18 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.89 грн
71+201.95 грн
100+196.75 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.18 грн
10+169.94 грн
100+169.13 грн
500+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.36 грн
50+135.10 грн
100+134.46 грн
500+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.18 грн
10+462.05 грн
25+236.79 грн
100+198.82 грн
250+177.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+561.22 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.65 грн
10+180.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.07 грн
30+265.62 грн
120+221.69 грн
510+177.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+505.65 грн
48+295.43 грн
49+289.56 грн
100+252.73 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.61 грн
30+218.93 грн
120+203.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.26 грн
52+276.88 грн
100+245.70 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.64 грн
25+240.55 грн
100+189.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Power MOSFET
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.95 грн
10+331.85 грн
25+271.99 грн
100+233.34 грн
250+220.22 грн
500+207.10 грн
1000+176.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 304
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.33 грн
10+200.88 грн
100+147.80 грн
500+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 304
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 304
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.82 грн
60+237.42 грн
100+229.36 грн
250+214.46 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.98 грн
67+213.57 грн
200+204.12 грн
500+179.52 грн
1000+162.84 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+470.46 грн
500+451.94 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXROHMDescription: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.65 грн
10+240.81 грн
100+235.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.44 грн
10+280.24 грн
100+175.35 грн
500+160.16 грн
1000+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+307.47 грн
49+293.57 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.234 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.48 грн
10+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.55 грн
39+368.03 грн
50+354.01 грн
100+329.78 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.37 грн
10+274.17 грн
100+197.03 грн
500+154.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.234 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
50+102.28 грн
100+92.52 грн
500+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]