Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6015ANZC8ROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+442.63 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.71 грн
102+139.19 грн
250+133.61 грн
500+124.18 грн
1000+111.24 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.17 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXROHMDescription: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.94 грн
73+194.25 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+263.35 грн
62+231.84 грн
100+210.72 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.79 грн
100+142.61 грн
107+133.18 грн
500+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
50+145.54 грн
100+137.91 грн
500+106.70 грн
1000+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.50 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Low Noise
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
30+136.34 грн
120+132.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+535.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+185.07 грн
100+135.52 грн
500+106.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.64 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.05 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.59 грн
44+325.00 грн
50+312.62 грн
100+291.22 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+362.07 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.99 грн
10+336.94 грн
100+272.55 грн
500+227.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+287.91 грн
52+276.94 грн
100+267.55 грн
250+250.16 грн
500+225.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+137.97 грн
100+99.66 грн
500+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.90 грн
93+153.22 грн
100+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.96 грн
87+164.44 грн
100+158.86 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.55 грн
208+68.24 грн
211+67.06 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+121.82 грн
100+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+224.25 грн
66+215.71 грн
100+208.38 грн
250+194.85 грн
500+175.51 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
50+82.89 грн
100+74.54 грн
500+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
30+136.34 грн
120+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018REED InstrumentsDescription: DUAL MOISTURE METER
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.42 грн
60+236.07 грн
100+228.06 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018ANJTLROHM SemiconductorMOSFETs NCH MOSFET T/R 10V DRIVE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
54+262.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.80 грн
74+192.19 грн
100+185.67 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.80 грн
74+192.19 грн
100+185.67 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
10+244.63 грн
100+176.88 грн
500+137.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.50 грн
50+269.34 грн
100+230.87 грн
500+192.58 грн
1000+164.90 грн
2000+155.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.98 грн
50+286.41 грн
66+214.51 грн
100+196.62 грн
500+167.32 грн
1000+152.55 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.68 грн
250+220.85 грн
500+219.00 грн
1000+202.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.286 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
50+137.73 грн
100+124.99 грн
500+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+283.68 грн
250+211.61 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.77 грн
42+339.44 грн
77+183.87 грн
100+173.89 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R602-10-4
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PHILIPS04+
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7759.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020-NISTREED InstrumentsDescription: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29314.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1CRQEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-3CREatonFuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]