Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET IGBT MOSFET Driver Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM50NST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60
на замовлення 29550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60NSTM
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60N(1235)
на замовлення 15752 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60N(1235)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60NDSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+284.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+694.25 грн
10+618.44 грн
25+512.92 грн
100+445.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM60ND
Код товару: 118445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW25NM6ON
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.68 грн
10+219.91 грн
100+142.21 грн
600+119.43 грн
1200+110.45 грн
3000+104.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.01 грн
10+184.87 грн
100+130.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.74 грн
10+319.45 грн
100+307.65 грн
600+293.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 30 Amp
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.31 грн
10+507.30 грн
100+410.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.17 грн
10+551.70 грн
100+488.88 грн
500+444.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50STMN-CHANNEL 500V - 0.10. - 30A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.48 грн
30+468.64 грн
120+400.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+442.67 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50 (TO-247, ST)
Код товару: 130997
3 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 30 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3000/76
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
  • 21 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+242.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60STO402
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60
Код товару: 40763
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+261.52 грн
64+222.82 грн
100+197.83 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+488.61 грн
10+288.35 грн
30+195.28 грн
60+166.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.31 грн
10+330.26 грн
100+241.62 грн
1200+203.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.29 грн
30+309.84 грн
120+260.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.54 грн
10+221.98 грн
100+197.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW26NM60N TSTW26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+143.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.12 грн
10+335.05 грн
100+281.89 грн
500+240.81 грн
1000+218.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N (600V, 20A)
Код товару: 42872
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N.STMicroelectronicsSTW26NM60N.
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+721.38 грн
25+688.06 грн
50+660.38 грн
100+614.35 грн
250+551.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW27N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh, M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.08 грн
10+170.74 грн
100+161.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.80 грн
10+161.95 грн
100+115.98 грн
600+96.65 грн
1200+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.58 грн
30+151.79 грн
120+124.38 грн
510+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW27NM60NSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW27NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW27NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
30+181.61 грн
120+149.76 грн
510+118.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.76 грн
10+193.71 грн
100+138.76 грн
600+117.36 грн
1200+105.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.77 грн
10+207.21 грн
100+138.76 грн
600+116.67 грн
1200+107.69 грн
3000+91.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2
Код товару: 123683
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.25 грн
10+212.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.15 грн
10+186.14 грн
20+163.70 грн
30+162.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.33 грн
30+160.69 грн
120+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.93 грн
30+186.84 грн
120+154.25 грн
510+122.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.43 грн
10+199.27 грн
100+142.90 грн
600+120.12 грн
1200+107.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.63 грн
3+262.59 грн
10+215.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NK60ZSTMN-CHANNEL 600 V - 0.155. - 27A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 27 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NK60ZSTM
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 543 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+146.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+421.38 грн
Мінімальне замовлення: 543 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.57 грн
30+334.22 грн
120+293.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+499.35 грн
30+282.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.26 грн
10+342.81 грн
100+325.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMN-кан. MOSFET 500V, 21A, 0.158 Ом, 150W, TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+440.76 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50N
Код товару: 155180
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.09 грн
10+341.37 грн
100+266.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+468.52 грн
42+343.72 грн
100+326.80 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-chanel 600 V 0.120 Ohm typ 24 A
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.54 грн
25+267.54 грн
100+217.46 грн
600+216.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW29NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 31 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW29NK50Z
Код товару: 40934
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW29NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 15.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW29NK50ZSTMN-кан. MOSFET 500V, 31A, 0.105 Ом, 350Вт, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW29NK50ZDSTMN-CHANNEL 500 V - 0.095Щ - 29A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3-15128-018Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3-15128-064Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3-15128-076Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3-15128-084Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3040STTO3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]