Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA1182-O TE85RTOSHIBASOT23-ZO
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85R)TOSHIBASOT23-ZO
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85R) SOT23-ZTOSHIBA
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-YTOSHIBASOT23
на замовлення 93032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y(T5L,F,T)TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -30V S-Mini -0.5A -0.25V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y(TE85L,F)TOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.56 грн
28+11.02 грн
100+6.87 грн
500+4.74 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1186Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 150V 10A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1186EVVODescription: POWER TRANSISTORS(10A,150V,100W)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.5A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.20 грн
30+140.84 грн
120+115.43 грн
510+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1186
Код товару: 168261
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA119NEC/TOS
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1190DTZ-ERenesasTrans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 75472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1516+23.28 грн
10000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1190DTZ-ERenesasTrans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 34950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1516+23.28 грн
10000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1190DTZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 90V 0.1A TO-92
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 110422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1007+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 1007 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1194KVRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1197SANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1198TO-92
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA12HARRISCAN
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA120NECCAN
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1200-Y(T2LHM,CF)ToshibaTrans GP BJT PNP 150V 0.05A 800mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 80...240
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
на замовлення 4642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.07 грн
26+16.05 грн
52+8.04 грн
100+4.22 грн
250+3.80 грн
500+3.52 грн
1000+3.35 грн
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-O(TE12LCFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-O-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 120V 0.8A SOT-89
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-O-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-YToshibaBipolar Transistors - BJT Pwr Trans HiSpd PNP -0.8A 1W -120V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-YN/A09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(T2RTORIF)TOSHIBASOT89
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,CFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A SC-62
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.11 грн
2000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZCTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaBipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.90 грн
10+32.76 грн
100+21.18 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZCTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+19.62 грн
747+18.90 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y(TE12R,C)TOSHIBASOT89
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Bipolar Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201-Y-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 120V 0.8A SOT-89
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1201Y
Код товару: 62191
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1202TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1202-YN/A09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1202-Y(C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1202-Y(T2LCRYDCToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1202-Y(TE12L,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1203KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1203-0TOSHSOT223
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1203-O(TE12L,CFToshibaTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.61 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1203-Y(TE12R,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1204-YN/A09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1204-Y(TE12L,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1204-Y(TE12L,CFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F PW-MINI-PLN,ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1206
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207S-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207S-AAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.07A 600mW 3-Pin NP
на замовлення 78328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.47 грн
10000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207S-AASanyoDescription: TRANS PNP 160V 0.07A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 83793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4365+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207S-AAMitsubishi
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207TonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207T-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1207T-AA - 2SA1207T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207T-AAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.07A 600mW 3-Pin NP
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
10000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1207T-AASanyoDescription: TRANS PNP 160V 0.07A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1820+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 1820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208
Код товару: 31513
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 150 МГц
Напруга Uке, В: 160 В
Напруга Uкб, В: 180 В
Струм Iк, А: 0,07 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+5.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208SSANYOTO92
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208SSanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208S-AESanyoDescription: TRANS PNP 160V 0.07A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208S-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208S-AESanyo Electric2SA1208S-AE
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2104+16.77 грн
10000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 2104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208S-JVC-AEonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208S-JVC-AESANYO09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208S-JVC-AEonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208TON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.07A 900mW 3-Pin Case MP
на замовлення 12088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1304+27.08 грн
10000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 1304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208TSanyoDescription: TRANS PNP 160V 0.07A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208TonsemiDescription: TRANS PNP 160V 0.07A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 12588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208T-AESANYO00+
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1208T-JVC-AEonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1209
Код товару: 104550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1209
на замовлення 18560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1209 S
Код товару: 152201
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Гранична частота fT, МГц: 150 МГц
Напруга Uке, В: 160 В
Напруга Uкб, В: 180 В
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+64.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1209SON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.014A 1000mW 3-Pin TO-126
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1209SonsemiDescription: TRANS PNP 160V 0.14A TO-126
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1209SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1209SON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.014A 1000mW 3-Pin TO-126
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA120ANECCAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA121NECCAN
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1210KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1210-YTOSHIBASOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1210-YTE12L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]