Продукція > AOD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOD5B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 23A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns
Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 9.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 54.4 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21.7W; TO252; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21.7W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Turn-on switching energy: 0.14mJ
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 124ns
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.45 грн
25+42.77 грн
100+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 23A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns
Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 9.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 54.4 W
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.29 грн
100+57.45 грн
500+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 69 W
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.31 грн
100+56.75 грн
500+42.19 грн
1000+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.08mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Turn-on switching energy: 0.08mJ
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 157ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 69 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65MQ1EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
14+30.86 грн
25+23.40 грн
100+21.55 грн
500+18.53 грн
1000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65MQ1EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 5A 650V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/78ns
Switching Energy: 90µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 8.8 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 52 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65N1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/73ns
Switching Energy: 81µJ (on), 49µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 9.2 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 52 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5B65N1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Turn-on switching energy: 0.081mJ
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.22 грн
11+39.92 грн
25+35.39 грн
250+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N40Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N40Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.6Ω
Power dissipation: 104W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.5nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.25 грн
11+38.58 грн
25+31.11 грн
100+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,6Ohm; 5A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD5N50 TAOD5n50
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50
Код товару: 145010
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50AOSMOSFET N-CH 500V 5A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50MAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5T40PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 273 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5T40PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 273 pF @ 100 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
10+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.40 грн
100+58.94 грн
500+43.86 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A60Alpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70Alpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.63 грн
100+61.93 грн
500+46.19 грн
1000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70RALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70RAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.63 грн
100+61.93 грн
500+46.19 грн
1000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70RAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70RAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AimportTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm/150mOhm; 13A/13A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C; AOD603A TO252/4 TAOD603a c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8/7.4nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AALPHA&OMEGATransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C; AOD603A TAOD603a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603LAO07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD604Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD604LAOSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD606
Код товару: 29164
Додати до обраних Обраний товар
A&OТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak-5 (TO-252-5)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,033 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 4 шт
  • 2 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+62.50 грн
10+57.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOD606Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD606LAO07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8/-9.4A
Power dissipation: 7.5/12W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25/27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
20+21.80 грн
22+19.29 грн
250+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607LAOSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607_DELTAAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.59 грн
1224+11.56 грн
1237+11.44 грн
1389+9.82 грн
1586+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609AOSTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A DPAK Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
21+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.49 грн
43+17.59 грн
100+11.15 грн
250+10.21 грн
500+8.73 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609
Код товару: 207715
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.10 грн
50+47.05 грн
100+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
17+25.83 грн
25+20.63 грн
100+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609ALPHA&OMEGATransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 46mOhm/66mOhm; 12A; 27W/30W; -55°C ~ 175°C; AOD609 TAOD609
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 27W (Tc), 2W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 20V, 890pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609GALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 27W (Tc), 2W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 20V, 890pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD661Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66406Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.64 грн
7500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66406Alpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66406Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.46 грн
50+32.80 грн
100+27.24 грн
500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66406ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; 20.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Power dissipation: 20.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+22.31 грн
25+18.53 грн
100+16.35 грн
500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66919Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66919ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 62W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: AlphaSGT™
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 35.5W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: AlphaSGT™
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.18 грн
50+68.88 грн
100+57.87 грн
500+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.08 грн
7500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923AOSMOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.48 грн
50+59.69 грн
100+50.03 грн
500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 29W
Gate charge: 12.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6B60M1AOSТранзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6B60M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Turn-off time: 158ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 20ns
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
22+19.96 грн
25+19.04 грн
250+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6B65MQ1EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/91ns
Switching Energy: 110µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 96 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6B65MQ1EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50AOSMOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD780A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7B65M3ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Eoff: 0.099mJ; Eon: 0.108mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter saturation voltage: 1.87V
Turn-off switching energy: 0.099mJ
Turn-on switching energy: 0.108mJ
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 136ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7B65M3Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 14A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65AOSMOSFET N-CH 650V 7A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+77.89 грн
50+58.57 грн
100+49.09 грн
500+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.