Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6374-NLFDS
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
8+57.20 грн
10+50.15 грн
50+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375
Код товару: 34124
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2694/26
Монтаж: SMD
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 62823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.25 грн
15+51.01 грн
25+50.63 грн
100+38.91 грн
250+35.70 грн
500+29.66 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6375 TFDS6375
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375-NLFAIRCHIL09+ BGA
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6376FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6393AFDSSOP-8
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6406CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6410FDSSOP-8
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6466FAIRCHILD
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6520FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6520AMFDSSOP-8
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AONS/FAISO8, Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 20V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A
Код товару: 193947
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570ANLFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570A_NLFSC09+
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6570NLFAIRCHILD
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6572FDSSOP-8
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6572AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6572AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6572A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 373117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 9mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6574A TFDS6574a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A
Код товару: 175545
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.02 грн
5000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.07 грн
500+73.87 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.56 грн
5000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.08 грн
5000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 11678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+78.12 грн
100+60.77 грн
500+48.34 грн
1000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.07 грн
500+73.87 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.25 грн
138+103.21 грн
174+81.33 грн
250+77.65 грн
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.33 грн
5000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.52 грн
5000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+63.85 грн
100+49.66 грн
500+39.51 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576_NLFSC09+
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6578FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6585FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6588FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612FSC00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A
Код товару: 137932
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 138927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+40.70 грн
1000+37.54 грн
10000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.95 грн
100+33.61 грн
500+24.56 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 408 шт
В кошику  од. на суму  грн.