Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP06CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP06N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP06N03LAHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP070N06L G | Infineon Technologies | MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06LG | infineon | 08+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06LGAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06NGAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N06NGIN | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N08N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N08N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP070N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP070N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V | на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3 G | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP072N10N3G | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220 Packaging: Tube | на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 4497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 29256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon | N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 68 V | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3 G | Infineon | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP075N15N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3G | Infineon technologies | на замовлення 24500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP075N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V | на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 Код товару: 122947
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3 | Infineon | MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP076N12N3 G | Infineon | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP076N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3G | Infineon Technologies | Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP076N15N5 | Infineon | на замовлення 38500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10 Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 5010 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP07N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP07N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP080N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP080N03LG | infineon | 07+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP080N06N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP082N10NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP082N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP082N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP082N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP082N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

