Продукція > IPP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP060N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NInfineon TechnologiesDescription: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1
Код товару: 202357
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+115.18 грн
136+104.90 грн
167+85.29 грн
200+77.00 грн
500+71.09 грн
1000+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP062NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP062NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP062NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP062NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
710+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N03LGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.31 грн
530+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.31 грн
530+66.87 грн
1000+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N04NGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N06LGINF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP065N06LGAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 5204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.93 грн
10+325.92 грн
50+258.82 грн
100+222.64 грн
500+187.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 136A; Idm: 544A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1InfineonIPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6 N-Channel 200 V 15.3A 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10LINFINEON
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.30 грн
10+75.86 грн
25+66.48 грн
50+60.11 грн
100+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP06N03LAHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06L GInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06LGinfineon08+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06LGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06NGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N06NGINInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N08N3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP070N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+123.02 грн
50+94.02 грн
100+79.45 грн
500+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.89 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.04 грн
10+123.55 грн
50+94.41 грн
100+79.78 грн
500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1InfineonIPP072N10N3GXKSA1 N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.35 грн
10+121.32 грн
50+63.98 грн
100+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 159968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
1000+110.79 грн
10000+95.25 грн
100000+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.52 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 68 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
50+122.04 грн
100+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP073N13NM6AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP073N13NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 98 A, 7000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+528.16 грн
29+505.47 грн
50+486.21 грн
100+452.94 грн
250+406.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GInfineon technologies
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1
Код товару: 122947
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1InfineonIPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3 MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+352.71 грн
80+177.92 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.71 грн
10+177.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.48 грн
10+152.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+151.58 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.02 грн
10+233.41 грн
50+182.85 грн
100+156.33 грн
500+129.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+287.48 грн
93+152.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+151.58 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N12N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.